Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF4905STRLPBF
IRF4905STRLPBF

IRF4905STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 55200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.84 грн
2400+99.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF4905STRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 77.69 грн до 287.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+202.53 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.53 грн
10+156.25 грн
11+89.29 грн
29+84.50 грн
1600+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF
Код товару: 173205
Додати до обраних Обраний товар

irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.03 грн
1600+79.05 грн
2400+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 55200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+133.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : INFINEON 136279.pdf Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.79 грн
500+109.22 грн
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.36 грн
10+157.69 грн
100+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+255.00 грн
70+176.54 грн
100+142.21 грн
500+119.01 грн
800+94.14 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN-3363051.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 17666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.75 грн
10+178.66 грн
100+108.68 грн
500+101.02 грн
800+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : INFINEON 136279.pdf Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+277.30 грн
10+192.31 грн
100+134.79 грн
500+109.22 грн
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.44 грн
10+194.71 грн
11+107.14 грн
29+101.40 грн
1600+96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf4905spbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf4905s-datasheet-v01_01-en.pdf P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.