IRF4905STRRPBF Infineon Technologies
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 228+ | 133.89 грн |
| 500+ | 119.69 грн |
| 1000+ | 110.56 грн |
| 10000+ | 95.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4905STRRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF4905STRRPBF за ціною від 110.56 грн до 220.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF4905STRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF4905STRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF4905STRRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF4905STRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
IRF4905STRRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||
|
IRF4905STRRPBF Код товару: 176581
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IRF4905STRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IRF4905STRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Pulsed drain current: -280A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
IRF4905STRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF4905STRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IRF4905STRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Pulsed drain current: -280A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |