IRF520NPBF
у наявності 21 шт:
11 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 12.74 грн до 107.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC |
на замовлення 6192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : IR | Транз. Пол. N-канал, TO-220, 9.7 А, 100 В, 48 Вт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF520NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
2N5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31024 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 156292 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 61 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25 грн |
10+ | 22.5 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 47057 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
LM393N Код товару: 1983 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: 4…30; tз, нс: 300; Тип виходу: OK/OC; Uсм, мВ: 5; Iпотр, мА: 1;
Udss,V: 4...30 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: 4…30; tз, нс: 300; Тип виходу: OK/OC; Uсм, мВ: 5; Iпотр, мА: 1;
Udss,V: 4...30 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
товар відсутній
0 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-0R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1748 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 34896 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.14 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |