Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF520NPBF
IRF520NPBF

IRF520NPBF

Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Код товару: 55824
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 21.68 грн до 110.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+30.91 грн
469+29.99 грн
504+27.89 грн
1000+25.32 грн
4000+22.60 грн
10000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.49 грн
4000+32.87 грн
10000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.49 грн
4000+32.87 грн
10000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.66 грн
25+31.08 грн
100+30.16 грн
500+27.05 грн
1000+23.57 грн
4000+21.81 грн
10000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.97 грн
15+29.32 грн
25+28.08 грн
50+27.01 грн
100+25.86 грн
250+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.91 грн
50+47.16 грн
100+41.96 грн
500+30.83 грн
1000+28.07 грн
2000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.42 грн
13+61.71 грн
100+55.88 грн
500+43.47 грн
1000+34.29 грн
4000+30.07 грн
10000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.42 грн
228+61.71 грн
252+55.88 грн
500+43.47 грн
1000+34.29 грн
4000+30.07 грн
10000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+30.91 грн
469+29.99 грн
504+27.89 грн
1000+25.32 грн
4000+22.60 грн
10000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+35.49 грн
4000+32.87 грн
10000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+35.49 грн
4000+32.87 грн
10000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+35.66 грн
25+31.08 грн
100+30.16 грн
500+27.05 грн
1000+23.57 грн
4000+21.81 грн
10000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
736+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.97 грн
15+29.32 грн
25+28.08 грн
50+27.01 грн
100+25.86 грн
250+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.91 грн
50+47.16 грн
100+41.96 грн
500+30.83 грн
1000+28.07 грн
2000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.42 грн
13+61.71 грн
100+55.88 грн
500+43.47 грн
1000+34.29 грн
4000+30.07 грн
10000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+110.42 грн
228+61.71 грн
252+55.88 грн
500+43.47 грн
1000+34.29 грн
4000+30.07 грн
10000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF520NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)
Код товару: 12332
1 Додати до обраних Обраний товар
Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)
Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель 4 контакти, крок 1,25 мм, 1A
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 мм
Серія роз’єма: NX1251
Монтаж: На провід
у наявності: 1802 шт
  • 1518 шт - склад
  • 169 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CI44T011PE0 (контакти NX1251-TF, CI44)
Код товару: 4792
2 Додати до обраних Обраний товар
ci44-datasheet-cv.pdf
CI44T011PE0 (контакти NX1251-TF, CI44)
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" до CI44, під крок роз'єму 1,25 мм на провід: 28-32AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
К-сть контактів: -
Крок контактів: 1,25 мм
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: На провід
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3045
1 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1518 шт
  • 764 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 627 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 101 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10200 шт
  • 200 шт - очікується
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.85 грн
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2955
3 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 8048 шт
  • 7362 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 207 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 280 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 149 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.25 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2428
1 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 8148 шт
  • 7914 шт - склад
  • 182 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.