Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 18.53 грн до 27817.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 6927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC |
на замовлення 11359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF520NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 47W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 30029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 578+ | 24.42 грн |
| 592+ | 23.87 грн |
| 627+ | 22.53 грн |
| 1000+ | 21.46 грн |
| 4000+ | 19.86 грн |
| 10000+ | 18.53 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.15 грн |
| 31+ | 24.49 грн |
| 100+ | 23.93 грн |
| 500+ | 21.79 грн |
| 1000+ | 19.93 грн |
| 4000+ | 19.12 грн |
| 10000+ | 18.59 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 29.20 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.18 грн |
| 4000+ | 30.12 грн |
| 10000+ | 27.86 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.18 грн |
| 4000+ | 30.12 грн |
| 10000+ | 27.86 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1124+ | 31.41 грн |
| 10000+ | 28.00 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1124+ | 31.41 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1124+ | 31.41 грн |
| 10000+ | 28.00 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1124+ | 31.41 грн |
| 10000+ | 28.00 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 64.73 грн |
| 15+ | 30.14 грн |
| 25+ | 28.87 грн |
| 50+ | 27.77 грн |
| 100+ | 26.58 грн |
| 250+ | 25.23 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 6927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.28 грн |
| 10+ | 49.22 грн |
| 50+ | 36.45 грн |
| 100+ | 30.31 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 94.70 грн |
| 16+ | 50.09 грн |
| 100+ | 45.03 грн |
| 500+ | 34.50 грн |
| 1000+ | 30.51 грн |
| 4000+ | 29.20 грн |
| 10000+ | 26.46 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.70 грн |
| 282+ | 50.09 грн |
| 314+ | 45.03 грн |
| 500+ | 34.50 грн |
| 1000+ | 30.51 грн |
| 4000+ | 29.20 грн |
| 10000+ | 26.46 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27817.57 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 27817.57 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 11359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 220uF 16V ELV SMD sizeD 8x6.5 (ELV221M16RD) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 15890
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 мкФ
Номінальна напруга: 16 В
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°С
Типорозмір, габарити: SMD size D
Макс. пульсуючий струм: 280 мА
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 мкФ
Номінальна напруга: 16 В
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°С
Типорозмір, габарити: SMD size D
Макс. пульсуючий струм: 280 мА
у наявності: 985 шт
- 725 шт - склад
- 93 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 81 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 86 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.30 грн |
| DB-9M (CD5109PA100, DSC-009, KLS1-213-09-M-B) (DB-09M) роз'єм Код товару: 3565
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Функціональний опис: D-SUB штирі на кабель 2-рядне, 9 контактів
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 9
Серія: DB
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Функціональний опис: D-SUB штирі на кабель 2-рядне, 9 контактів
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 9
Серія: DB
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
очікується: 15030 шт
- 30 шт - очікується
- 15000 шт - очікується
на замовлення: 330 шт
- 330 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.00 грн |
| 1000+ | 3.50 грн |
| 1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3045
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1517 шт
- 463 шт - склад
- 192 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 607 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 187 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
на замовлення: 377 шт
- 377 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.85 грн |
| 1000+ | 0.68 грн |
| 470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2955
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6635 шт
- 6170 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 203 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 234 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 994 шт
- 994 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.25 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2428
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6560 шт
- 6197 шт - склад
- 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |













