Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 18.72 грн до 93.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC |
на замовлення 12160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF520NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 47W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 30164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 581+ | 24.36 грн |
| 595+ | 23.80 грн |
| 629+ | 22.50 грн |
| 1000+ | 21.54 грн |
| 4000+ | 19.81 грн |
| 10000+ | 18.72 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 26.99 грн |
| 31+ | 24.36 грн |
| 100+ | 23.80 грн |
| 500+ | 21.69 грн |
| 1000+ | 19.95 грн |
| 4000+ | 19.03 грн |
| 10000+ | 18.73 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 29.27 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.46 грн |
| 4000+ | 30.18 грн |
| 10000+ | 28.92 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.46 грн |
| 4000+ | 30.18 грн |
| 10000+ | 28.92 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 64.12 грн |
| 15+ | 29.86 грн |
| 25+ | 28.60 грн |
| 50+ | 27.51 грн |
| 100+ | 26.33 грн |
| 250+ | 24.99 грн |
| 1000+ | 23.31 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.08 грн |
| 10+ | 49.82 грн |
| 50+ | 36.88 грн |
| 100+ | 30.67 грн |
| 500+ | 23.76 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.77 грн |
| 16+ | 49.54 грн |
| 100+ | 44.52 грн |
| 500+ | 34.11 грн |
| 1000+ | 30.84 грн |
| 4000+ | 28.87 грн |
| 10000+ | 27.33 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 93.77 грн |
| 286+ | 49.54 грн |
| 318+ | 44.52 грн |
| 500+ | 34.11 грн |
| 1000+ | 30.84 грн |
| 4000+ | 28.87 грн |
| 10000+ | 27.33 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000) Код товару: 12332
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель 4 контакти, крок 1,25 мм, 1A
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 мм
Серія роз’єма: NX1251
Монтаж: На провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель 4 контакти, крок 1,25 мм, 1A
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 мм
Серія роз’єма: NX1251
Монтаж: На провід
у наявності: 1200 шт
- 918 шт - склад
- 169 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 93 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 23+ | 0.90 грн |
| CI44T011PE0 (контакти NX1251-TF, CI44) Код товару: 4792
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" до CI44, під крок роз'єму 1,25 мм на провід: 28-32AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
К-сть контактів: -
Крок контактів: 1,25 мм
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: На провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" до CI44, під крок роз'єму 1,25 мм на провід: 28-32AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
К-сть контактів: -
Крок контактів: 1,25 мм
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: На провід
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3045
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1606 шт
- 692 шт - склад
- 202 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 627 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
на замовлення: 377 шт
- 377 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.85 грн |
| 1000+ | 0.68 грн |
| 470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2955
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 7405 шт
- 6759 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 207 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 248 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 141 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 994 шт
- 994 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.25 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2428
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 7816 шт
- 7621 шт - склад
- 179 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |














