IRF520NPBF


Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Код товару: 55824
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 18.53 грн до 27817.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+24.42 грн
592+23.87 грн
627+22.53 грн
1000+21.46 грн
4000+19.86 грн
10000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.15 грн
31+24.49 грн
100+23.93 грн
500+21.79 грн
1000+19.93 грн
4000+19.12 грн
10000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.18 грн
4000+30.12 грн
10000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.18 грн
4000+30.12 грн
10000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
15+30.14 грн
25+28.87 грн
50+27.77 грн
100+26.58 грн
250+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 6927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.22 грн
50+36.45 грн
100+30.31 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.70 грн
16+50.09 грн
100+45.03 грн
500+34.50 грн
1000+30.51 грн
4000+29.20 грн
10000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.70 грн
282+50.09 грн
314+45.03 грн
500+34.50 грн
1000+30.51 грн
4000+29.20 грн
10000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27817.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+27817.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineon_irf520n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 11359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
578+24.42 грн
592+23.87 грн
627+22.53 грн
1000+21.46 грн
4000+19.86 грн
10000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.15 грн
31+24.49 грн
100+23.93 грн
500+21.79 грн
1000+19.93 грн
4000+19.12 грн
10000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.18 грн
4000+30.12 грн
10000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.18 грн
4000+30.12 грн
10000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1124+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.73 грн
15+30.14 грн
25+28.87 грн
50+27.77 грн
100+26.58 грн
250+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 6927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.28 грн
10+49.22 грн
50+36.45 грн
100+30.31 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+94.70 грн
16+50.09 грн
100+45.03 грн
500+34.50 грн
1000+30.51 грн
4000+29.20 грн
10000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+94.70 грн
282+50.09 грн
314+45.03 грн
500+34.50 грн
1000+30.51 грн
4000+29.20 грн
10000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27817.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+27817.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineon_irf520n_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 11359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 30029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220uF 16V ELV SMD sizeD 8x6.5 (ELV221M16RD) (електролітичний конденсатор SMD)
Код товару: 15890
Додати до обраних Обраний товар
ELV_090806.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 мкФ
Номінальна напруга: 16 В
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°С
Типорозмір, габарити: SMD size D
Макс. пульсуючий струм: 280 мА
у наявності: 985 шт
  • 725 шт - склад
  • 93 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 81 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 86 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.10 грн
100+3.90 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DB-9M (CD5109PA100, DSC-009, KLS1-213-09-M-B) (DB-09M) роз'єм
Код товару: 3565
7 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Функціональний опис: D-SUB штирі на кабель 2-рядне, 9 контактів
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 9
Серія: DB
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
очікується: 15030 шт
  • 30 шт - очікується
  • 15000 шт - очікується
на замовлення: 330 шт
  • 330 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.00 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3045
1 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1517 шт
  • 463 шт - склад
  • 192 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 607 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 187 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
на замовлення: 377 шт
  • 377 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.85 грн
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2955
6 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6635 шт
  • 6170 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 203 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 234 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 994 шт
  • 994 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.25 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2428
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6560 шт
  • 6197 шт - склад
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.