Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 21.23 грн до 142.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 47W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 96566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC |
на замовлення 5549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 31.55 грн |
| 463+ | 30.62 грн |
| 500+ | 28.47 грн |
| 1000+ | 25.76 грн |
| 4000+ | 23.03 грн |
| 10000+ | 22.10 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 35.81 грн |
| 4000+ | 33.16 грн |
| 10000+ | 32.83 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 35.81 грн |
| 4000+ | 33.16 грн |
| 10000+ | 32.83 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 36.44 грн |
| 24+ | 31.70 грн |
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 27.58 грн |
| 1000+ | 23.97 грн |
| 4000+ | 22.22 грн |
| 10000+ | 22.21 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 736+ | 48.18 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 64.27 грн |
| 15+ | 29.92 грн |
| 25+ | 28.66 грн |
| 50+ | 27.57 грн |
| 100+ | 26.39 грн |
| 250+ | 25.05 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 67.24 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 96566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.86 грн |
| 18+ | 45.62 грн |
| 100+ | 41.30 грн |
| 500+ | 24.59 грн |
| 1000+ | 22.14 грн |
| 5000+ | 21.23 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 127+ | 111.96 грн |
| 227+ | 62.54 грн |
| 251+ | 56.63 грн |
| 500+ | 44.05 грн |
| 1000+ | 34.53 грн |
| 4000+ | 30.47 грн |
| 10000+ | 30.45 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.98 грн |
| 50+ | 54.95 грн |
| 100+ | 48.91 грн |
| 500+ | 35.92 грн |
| 1000+ | 32.71 грн |
| IRF520NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.56 грн |
| 10+ | 86.73 грн |
| 100+ | 49.86 грн |
| 500+ | 39.17 грн |
| 1000+ | 33.45 грн |
| 2000+ | 30.31 грн |
| 5000+ | 26.88 грн |
З цим товаром купують
| Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000) Код товару: 12332
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель 4 контакти, крок 1,25 мм, 1A
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 mm
Серія роз’єма: NX1251
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель 4 контакти, крок 1,25 мм, 1A
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 mm
Серія роз’єма: NX1251
Монтаж: на провід
у наявності: 1802 шт
- 1518 шт - склад
- 169 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 23+ | 0.90 грн |
| CI44T011PE0 (контакти NX1251-TF, CI44) Код товару: 4792
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" до CI44, під крок роз'єму 1,25 мм на провід: 28-32AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 1,25 mm
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" до CI44, під крок роз'єму 1,25 мм на провід: 28-32AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 1,25 mm
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: на провід
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3045
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1993 шт
- 1323 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 647 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
- 30 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.85 грн |
| 1000+ | 0.68 грн |
| 470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2955
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8823 шт
- 8084 шт - склад
- 71 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 219 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 280 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 169 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.25 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2428
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 8168 шт
- 7907 шт - склад
- 187 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |














