IRF520NPBF


Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Код товару: 55824
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220AB
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF520NPBF за ціною від 21.23 грн до 142.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.55 грн
463+30.62 грн
500+28.47 грн
1000+25.76 грн
4000+23.03 грн
10000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.81 грн
4000+33.16 грн
10000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.81 грн
4000+33.16 грн
10000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.44 грн
24+31.70 грн
100+30.77 грн
500+27.58 грн
1000+23.97 грн
4000+22.22 грн
10000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.27 грн
15+29.92 грн
25+28.66 грн
50+27.57 грн
100+26.39 грн
250+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 96566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.86 грн
18+45.62 грн
100+41.30 грн
500+24.59 грн
1000+22.14 грн
5000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.96 грн
227+62.54 грн
251+56.63 грн
500+44.05 грн
1000+34.53 грн
4000+30.47 грн
10000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.98 грн
50+54.95 грн
100+48.91 грн
500+35.92 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+86.73 грн
100+49.86 грн
500+39.17 грн
1000+33.45 грн
2000+30.31 грн
5000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
450+31.55 грн
463+30.62 грн
500+28.47 грн
1000+25.76 грн
4000+23.03 грн
10000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+35.81 грн
4000+33.16 грн
10000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+35.81 грн
4000+33.16 грн
10000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+36.44 грн
24+31.70 грн
100+30.77 грн
500+27.58 грн
1000+23.97 грн
4000+22.22 грн
10000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
736+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+64.27 грн
15+29.92 грн
25+28.66 грн
50+27.57 грн
100+26.39 грн
250+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 96566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+78.86 грн
18+45.62 грн
100+41.30 грн
500+24.59 грн
1000+22.14 грн
5000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
127+111.96 грн
227+62.54 грн
251+56.63 грн
500+44.05 грн
1000+34.53 грн
4000+30.47 грн
10000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.98 грн
50+54.95 грн
100+48.91 грн
500+35.92 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.56 грн
10+86.73 грн
100+49.86 грн
500+39.17 грн
1000+33.45 грн
2000+30.31 грн
5000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Гніздо на кабель 4-конт. крок 1,25 (NX1251-04PFS, CI4404S0000)
Код товару: 12332
1 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель 4 контакти, крок 1,25 мм, 1A
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 1,25 mm
Серія роз’єма: NX1251
Монтаж: на провід
у наявності: 1802 шт
  • 1518 шт - склад
  • 169 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
14+1.50 грн
23+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CI44T011PE0 (контакти NX1251-TF, CI44)
Код товару: 4792
2 Додати до обраних Обраний товар
ci44-datasheet-cv.pdf
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" до CI44, під крок роз'єму 1,25 мм на провід: 28-32AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 1,25 mm
Серія роз’єма: Контакти для NX1251
Монтаж: на провід
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V EHR 5x11mm (EHR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3045
1 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1993 шт
  • 1323 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 647 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
КількістьЦіна
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.85 грн
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2955
3 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8823 шт
  • 8084 шт - склад
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 219 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 280 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 169 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.25 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2428
1 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 8168 шт
  • 7907 шт - склад
  • 187 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.