IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5210LPBF
- MOSFET, P, 100V, 40A TO262
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:40A
- On State Resistance:0.06ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-262AB
- Termination Type:SMD
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:140A
- Transistor Case Style:TO-262AB
Інші пропозиції IRF5210LPBF за ціною від 76.90 грн до 76.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5210LPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: I2PAK-3 О кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF5210LPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF5210LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| IRF5210LPBF | Виробник : International Rectifier |
TO-262 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRF5210LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |