IRF5210S MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 105.85 грн |
| 500+ | 69.28 грн |
| 1000+ | 45.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5210S MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IRF5210S за ціною від 45.66 грн до 186.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF5210S | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF5210S | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |