IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5210SPBF за ціною від 340.72 грн до 358.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5210SPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF5210SPBF |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 108 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||
| IRF5210SPBF | Виробник : International Rectifier |
P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| IRF5210SPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
|
IRF5210SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRF5210SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 2200uF 16V 12,5x25mm (PF1C222MNN1225) Код товару: 208717
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZX55-C20 Код товару: 35486
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 20 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 16.0mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 20 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 16.0mV/K
у наявності: 2316 шт
1506 шт - склад
132 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
315 шт - РАДІОМАГ-Харків
188 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
132 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
315 шт - РАДІОМАГ-Харків
188 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |


