Продукція > IRF > IRF5210SPBF

IRF5210SPBF


irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Виробник:
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5210SPBF

Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF5210SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5210SPBF IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Виробник : IR irf5210spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN-1227949.pdf MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
товар відсутній
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Виробник : Infineon (IRF) irf5210s.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній