Інші пропозиції IRF5210STRLPBF за ціною від 52.23 грн до 249.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 74400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 64800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC |
на замовлення 18092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRF5210STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 16632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRF5210STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 16660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF5210STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. викількість в упаковці: 800 шт |
на замовлення 581 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 89.04 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 89.12 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 249.81 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 249.81 грн |
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 18092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 16632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 16660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF5210STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 52.23 грн |
З цим товаром купують
| 220nF 100V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B224K101N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 11363
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 220 нФ
Номін. напруга: 100 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 220 нФ
Номін. напруга: 100 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1618 шт
- 1618 шт - склад
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 8516
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 2310 шт
- 2310 шт - склад
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 0.50 грн |
| 160+ | 0.13 грн |
| 1000+ | 0.10 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |
| 100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4604
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 7661 шт
- 7661 шт - склад
очікується: 70000 шт
- 30000 шт - очікується
- 40000 шт - очікується
на замовлення: 1100 шт
- 1100 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 51,1 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-51K1-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4309
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 51,1 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 51,1 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 21445 шт
- 21445 шт - склад
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 0.50 грн |
| 160+ | 0.13 грн |
| 1000+ | 0.10 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD) Код товару: 3689
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 18680 шт
- 14580 шт - склад
- 4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50000 шт
- 50000 шт - очікується
на замовлення: 185 шт
- 185 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |








