Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5210STRLPBF
IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5210STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5210STRLPBF за ціною від 85.84 грн до 300.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.33 грн
1600+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 124800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+112.14 грн
1600+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 23606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.21 грн
500+99.47 грн
1000+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+176.59 грн
93+134.31 грн
100+130.99 грн
500+123.12 грн
800+96.97 грн
1600+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+177.67 грн
93+133.73 грн
100+126.40 грн
250+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+190.36 грн
10+144.70 грн
25+143.28 грн
100+135.42 грн
250+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.43 грн
5+156.88 грн
10+131.81 грн
100+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар

irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.90 грн
10+125.88 грн
100+106.36 грн
500+103.25 грн
800+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.72 грн
5+195.50 грн
10+158.18 грн
100+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 11149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.04 грн
10+181.87 грн
100+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 23696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.45 грн
10+142.82 грн
100+138.47 грн
500+125.34 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.