Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5210STRLPBF
IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+86.82 грн
142+86.01 грн
145+84.39 грн
1600+80.59 грн
3200+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5210STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5210STRLPBF за ціною від 86.80 грн до 308.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.42 грн
1600+91.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+99.07 грн
1600+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.38 грн
1600+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.03 грн
1600+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.69 грн
1600+103.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 29115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.96 грн
500+99.38 грн
1000+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.87 грн
5+175.83 грн
9+103.97 грн
24+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар

irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.27 грн
10+137.68 грн
100+125.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 29115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+279.92 грн
10+166.31 грн
100+139.96 грн
500+99.38 грн
1000+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN-3362884.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.69 грн
10+154.45 грн
25+130.64 грн
100+110.82 грн
800+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.24 грн
5+219.11 грн
9+124.76 грн
24+118.34 грн
800+117.43 грн
1600+116.51 грн
4800+115.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
5+144.67 грн
10+135.03 грн
100+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.84 грн
10+188.37 грн
100+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.