IRF5210STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 100.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5210STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF5210STRLPBF за ціною від 93.34 грн до 313.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5210STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 22433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 105600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 105600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5210STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC |
на замовлення 7717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
на замовлення 10624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5210STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF5210STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - MOSFET, P-KANAL, 100V, D2-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 22433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF5210STRLPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRF5210STRLPBF Код товару: 199795
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|