Технічний опис IRF5305STRLPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:0.31A
- On Resistance, Rds(on):60mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:D2-Pak
- Power Dissipation, Pd:110W
Інші пропозиції IRF5305STRLPBF за ціною від 40.57 грн до 184.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5305STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5305STRLPBF | Виробник : International Rectifier |
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5305STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 29070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
на замовлення 3599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF5305STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRF5305STRLPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 60 мОм @ 16 A , 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В, Pb-free,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |