Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5305STRLPBF
IRF5305STRLPBF

IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

irf5305spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5305STRLPBF за ціною від 32.52 грн до 161.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.09 грн
1600+40.02 грн
2400+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.28 грн
1600+46.27 грн
2400+34.82 грн
4000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.18 грн
1600+50.01 грн
2400+37.63 грн
4000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+72.62 грн
206+59.15 грн
219+55.83 грн
1000+40.06 грн
1600+35.94 грн
3200+33.66 грн
6400+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.61 грн
500+70.03 грн
1000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.02 грн
50+99.62 грн
100+79.61 грн
500+70.03 грн
1000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.43 грн
10+93.88 грн
22+40.98 грн
61+38.76 грн
800+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf-3363922.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 10038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.27 грн
10+95.37 грн
100+63.56 грн
800+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF
Код товару: 155127
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.12 грн
10+116.99 грн
22+49.17 грн
61+46.51 грн
800+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.95 грн
10+99.84 грн
100+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.94 грн
10+75.35 грн
100+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.