Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5305STRLPBF
IRF5305STRLPBF

IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

irf5305spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.78 грн
1600+46.26 грн
2400+45.79 грн
4000+43.72 грн
5600+40.07 грн
8000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF5305STRLPBF за ціною від 37.95 грн до 183.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.17 грн
1600+54.50 грн
2400+52.26 грн
4000+46.68 грн
5600+45.28 грн
8000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.80 грн
1600+49.37 грн
2400+48.87 грн
4000+46.65 грн
5600+42.76 грн
8000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+75.34 грн
173+74.59 грн
206+62.45 грн
274+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.87 грн
500+53.08 грн
1000+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.53 грн
10+80.72 грн
25+79.91 грн
100+64.52 грн
250+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+142.15 грн
10+90.06 грн
50+65.75 грн
100+57.48 грн
500+42.77 грн
800+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.85 грн
10+97.38 грн
100+57.40 грн
500+49.56 грн
800+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.09 грн
50+112.55 грн
100+75.87 грн
500+53.08 грн
1000+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.49 грн
10+113.76 грн
100+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF
Код товару: 155127
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.