Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+30.79 грн
1600+30.00 грн
2400+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF530NSTRLPBF за ціною від 18.85 грн до 101.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+32.68 грн
1600+31.83 грн
2400+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+33.96 грн
1600+31.50 грн
2400+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+38.06 грн
475+25.64 грн
492+24.75 грн
511+23.00 грн
1000+20.58 грн
3200+19.34 грн
6400+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+50.72 грн
250+48.76 грн
285+42.72 грн
286+41.06 грн
500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+52.81 грн
13+47.08 грн
25+45.28 грн
100+38.25 грн
250+35.31 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.70 грн
500+38.22 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.57 грн
10+65.67 грн
30+30.96 грн
80+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+78.92 грн
162+75.39 грн
250+72.37 грн
500+67.27 грн
1000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.12 грн
10+63.76 грн
100+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.88 грн
10+81.83 грн
30+37.15 грн
80+35.14 грн
1600+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 13060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+75.79 грн
25+60.18 грн
100+46.90 грн
250+46.60 грн
500+41.17 грн
800+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.27 грн
11+76.07 грн
100+58.70 грн
500+38.22 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF
Код товару: 144837
Додати до обраних Обраний товар

irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.