Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+33.83 грн
1600+32.78 грн
2400+32.01 грн
4000+27.36 грн
5600+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF530NSTRLPBF за ціною від 26.74 грн до 101.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+33.99 грн
1600+32.53 грн
2400+32.32 грн
4000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+36.07 грн
1600+34.96 грн
2400+34.13 грн
4000+29.17 грн
5600+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+47.89 грн
285+43.15 грн
324+37.92 грн
500+32.16 грн
1000+28.46 грн
3200+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.60 грн
500+46.02 грн
1000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.31 грн
10+61.62 грн
25+54.53 грн
30+31.91 грн
80+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.73 грн
10+65.24 грн
100+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 12178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.31 грн
10+70.20 грн
100+46.75 грн
500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.77 грн
10+76.78 грн
25+65.43 грн
30+38.29 грн
80+36.21 грн
1600+35.27 грн
2400+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.83 грн
11+79.51 грн
100+56.60 грн
500+46.02 грн
1000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF
Код товару: 144837
Додати до обраних Обраний товар

irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.