Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

irf530nspbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
408+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF530NSTRLPBF за ціною від 29.57 грн до 135.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.63 грн
2400+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+55.46 грн
395+32.03 грн
408+31.02 грн
500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.53 грн
500+54.98 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.04 грн
10+55.73 грн
100+42.67 грн
200+38.76 грн
250+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.45 грн
10+69.45 грн
100+51.21 грн
200+46.52 грн
250+45.02 грн
500+40.43 грн
800+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+92.93 грн
143+88.77 грн
250+85.21 грн
500+79.20 грн
1000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 6574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+71.17 грн
100+48.87 грн
500+46.40 грн
800+33.22 грн
2400+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF
Код товару: 144837
Додати до обраних Обраний товар

irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.04 грн
12+79.10 грн
100+62.53 грн
500+54.98 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.62 грн
10+83.35 грн
100+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.