Технічний опис IRF530NSTRLPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transist
Інші пропозиції IRF530NSTRLPBF за ціною від 36.59 грн до 182.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 649 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 6994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
на замовлення 11082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF530NSTRLPBF | Виробник : International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) T/R Right Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |