IRF540NL
Код товару: 83091
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-262
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF540NL за ціною від 60.54 грн до 60.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540NL | Виробник : International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF540NL | Виробник : International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRF540NL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |