Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF540NPBF INFINEON
IRF540NPBF

IRF540NPBF INFINEON

IRF540NPBF.pdf
Код товару: 222983
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: INFINEON
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 20.09.2026
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF540NPBF INFINEON

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF540NPBF за ціною від 27.90 грн до 114.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 477 шт
  • 422 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+47.82 грн
1000+44.10 грн
10000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.17 грн
100+47.05 грн
500+44.92 грн
1000+41.18 грн
4000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.84 грн
177+80.17 грн
300+47.05 грн
500+44.92 грн
1000+41.18 грн
4000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.69 грн
10+57.13 грн
20+45.82 грн
50+36.31 грн
100+31.78 грн
500+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.47 грн
10+69.37 грн
50+51.74 грн
100+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 10466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 46017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 477 шт
  • 422 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+47.82 грн
1000+44.10 грн
10000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.17 грн
100+47.05 грн
500+44.92 грн
1000+41.18 грн
4000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+80.84 грн
177+80.17 грн
300+47.05 грн
500+44.92 грн
1000+41.18 грн
4000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.69 грн
10+57.13 грн
20+45.82 грн
50+36.31 грн
100+31.78 грн
500+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.47 грн
10+69.37 грн
50+51.74 грн
100+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 10466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 46017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.