IRF540NPBF


f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 496 шт
  • 427 шт - склад
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF540NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
IRF540PBF-datasheet.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF540NPBF за ціною від 27.67 грн до 111.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+48.03 грн
1000+44.30 грн
10000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.86 грн
100+47.55 грн
500+45.40 грн
1000+41.61 грн
4000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.70 грн
175+81.01 грн
298+47.64 грн
500+45.47 грн
1000+41.69 грн
4000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.75 грн
10+55.43 грн
20+44.46 грн
50+35.23 грн
100+30.83 грн
500+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.31 грн
50+50.20 грн
100+41.92 грн
500+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 47385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+48.03 грн
1000+44.30 грн
10000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.86 грн
100+47.55 грн
500+45.40 грн
1000+41.61 грн
4000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
174+81.70 грн
175+81.01 грн
298+47.64 грн
500+45.47 грн
1000+41.69 грн
4000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.75 грн
10+55.43 грн
20+44.46 грн
50+35.23 грн
100+30.83 грн
500+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.06 грн
10+67.31 грн
50+50.20 грн
100+41.92 грн
500+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF Infineon_IRF540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 47385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9540NPBF
Код товару: 31944
3 Додати до обраних Обраний товар
irf9540npbf.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,117 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 491 шт
  • 410 шт - склад
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
20 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 48125 шт
  • 42862 шт - склад
  • 359 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3425 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1406 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5000 шт
  • 5000 шт - очікується
на замовлення: 164 шт
  • 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
25+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
17 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1064 шт
  • 970 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 13.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
5 Додати до обраних Обраний товар
1N5400-1N5408.pdf
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
у наявності: 3810 шт
  • 3359 шт - склад
  • 181 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 267 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 96 шт
  • 96 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.