IRF540NPBF
Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
7-21 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF540NPBF за ціною від 24.06 грн до 150.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540NPBF Код товару: 222983
Додати до обраних
Обраний товар
|
INFINEON |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 33 А Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 998 шт
|
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF540NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 31701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540NPBF Код товару: 222983
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: INFINEON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 998 шт
- 998 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 36.00 грн |
| 10+ | 32.40 грн |
| 100+ | 29.10 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 738+ | 49.53 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 738+ | 49.53 грн |
| 1000+ | 45.68 грн |
| 10000+ | 40.72 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.48 грн |
| 10+ | 65.73 грн |
| 50+ | 49.01 грн |
| 100+ | 40.93 грн |
| 500+ | 32.04 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 117.69 грн |
| 10+ | 54.64 грн |
| 20+ | 51.42 грн |
| 38+ | 25.42 грн |
| 105+ | 24.06 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 150.15 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 150.43 грн |
| IRF540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 31701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF9540NPBF Код товару: 31944
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,117 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,117 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується 05.12.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24.50 грн |
| 10+ | 21.80 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3599 шт
- 3487 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
25
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 14323 шт
- 8371 шт - склад
- 604 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2055 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 415 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2878 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 80000 шт
- 80000 шт - очікується 26.11.2026
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 27+ | 0.76 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.41 грн |
| 1N5408 Код товару: 2135
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
у наявності: 5290 шт
- 4262 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1026 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
- 300 шт - очікується
на замовлення: 65 шт
- 65 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |









