IRF540NPBF


f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1515 шт
  • 1477 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF540NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 185 шт
  • 128 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
IRF540PBF-datasheet.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 185 шт
  • 128 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF540NPBF за ціною від 27.61 грн до 130.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.90 грн
50+71.17 грн
100+54.42 грн
500+51.95 грн
1000+47.62 грн
2000+39.27 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.25 грн
198+71.53 грн
259+54.70 грн
500+52.22 грн
1000+47.86 грн
2000+39.46 грн
5000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 140W
Gate charge: 47.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.54 грн
10+55.30 грн
20+44.36 грн
50+35.15 грн
100+30.76 грн
500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineon-irf540n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 49502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.90 грн
50+71.17 грн
100+54.42 грн
500+51.95 грн
1000+47.62 грн
2000+39.27 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+72.25 грн
198+71.53 грн
259+54.70 грн
500+52.22 грн
1000+47.86 грн
2000+39.46 грн
5000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 140W
Gate charge: 47.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.54 грн
10+55.30 грн
20+44.36 грн
50+35.15 грн
100+30.76 грн
500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineon-irf540n-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 49502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9540NPBF
Код товару: 31944
3 Додати до обраних Обраний товар
irf9540npbf.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,117 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 588 шт
  • 507 шт - склад
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM317T-DG
Код товару: 150592
12 Додати до обраних Обраний товар
datasheet-lm317t-dg.pdf
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 40 В
Напруга виходу Uout, В: 1,2...37 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,25 В
Тип виходу: Регульований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
у наявності: 1809 шт
  • 1678 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
17 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 57204 шт
  • 50976 шт - склад
  • 682 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3829 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1486 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 231 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
25+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
2 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.