IRF540NPBF
Код товару: 3289
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності 1699 шт:
1637 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF540NPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540PBF Код товару: 182036
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 209 шт
143 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF540NPBF за ціною від 25.18 грн до 121.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 82167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 8590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 162875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 25817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRF540NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 33A, TO-220ABtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 60572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRF540NPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF9540NPBF Код товару: 31944
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 277 шт
243 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 24.50 грн |
| 10+ | 21.80 грн |
| LM317T-DG Код товару: 150592
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Тип виходу: Регульований
Темп.діапазон: 0…125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Тип виходу: Регульований
Темп.діапазон: 0…125°C
у наявності: 816 шт
777 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| 100+ | 12.90 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 21433 шт
18451 шт - склад
957 шт - РАДІОМАГ-Київ
1367 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
588 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
957 шт - РАДІОМАГ-Київ
1367 шт - РАДІОМАГ-Львів
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
588 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 1.00 грн |
| 63+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 13490 шт
11001 шт - склад
1340 шт - РАДІОМАГ-Київ
508 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
530 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1340 шт - РАДІОМАГ-Київ
508 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
530 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |






