IRF540NSTRLPBF

IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF540NSTRLPBF за ціною від 33.51 грн до 149.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 111200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+33.60 грн
1600+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+39.09 грн
1600+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 111200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+75.34 грн
175+70.12 грн
200+63.84 грн
1600+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+89.87 грн
11+58.15 грн
25+55.27 грн
100+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.01 грн
10+89.15 грн
100+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN-3362885.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.17 грн
10+103.60 грн
25+88.56 грн
100+60.70 грн
500+59.48 грн
800+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.88 грн
10+107.92 грн
100+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.