IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 32.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF540NSTRLPBF за ціною від 35.37 грн до 180.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 76800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 76800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 4449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
на замовлення 13489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 33A, TO-263-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF540NSTRLPBF |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |