IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 64.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції IRF540NSTRLPBF за ціною від 25.32 грн до 207.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 26400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 24225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF540NSTRLPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 800 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF540NSTRLPBF |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 65.25 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 70.02 грн |
| 2400+ | 59.98 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 128.14 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 196.88 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 196.88 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 24225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.49 грн |
| 10+ | 128.94 грн |
| 50+ | 98.41 грн |
| 100+ | 83.11 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 25.32 грн |
| IRF540NSTRLPBF |
|
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 4 дні (днів)