IRF540ZLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540ZLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 92W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.
Інші пропозиції IRF540ZLPBF за ціною від 65.95 грн до 407.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 16468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM, |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF540ZLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm |
на замовлення 8212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRF540ZLPBF | Infineon |
|
на замовлення 138000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 383+ | 92.40 грн |
| 500+ | 83.16 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 383+ | 92.40 грн |
| 500+ | 83.16 грн |
| 1000+ | 76.70 грн |
| 10000+ | 65.95 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 407.52 грн |
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF540ZLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






