IRF540ZLPBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 383+ | 79.52 грн |
| 500+ | 71.57 грн |
| 1000+ | 66.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540ZLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.021 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF540ZLPBF за ціною від 41.10 грн до 150.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 22530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540ZLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.021 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF540ZLPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 138000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |