Технічний опис IRF5800TR IR
Description: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF5800TR за ціною від 6.10 грн до 40.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5800TR | Виробник : IR |
 03+ |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| IRF5800TR | Виробник : IR |
03+ TSOP-6 |
на замовлення 5052 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| IRF5800TR | Виробник : IR |
SOT163-B3Z5K |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
IRF5800TR Код товару: 37265
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TSOP-6 Uds,V: 30 V Id,A: 4 А Rds(on),Om: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||
 |
IRF5800TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |