Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5801TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 7.74 грн до 51.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2368+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 2368
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2368+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 2368
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.41 грн
500+14.06 грн
1500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+23.26 грн
45+16.12 грн
100+11.96 грн
250+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.35 грн
17+25.79 грн
19+22.96 грн
50+15.97 грн
100+13.64 грн
250+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.62 грн
10+32.13 грн
11+27.55 грн
50+19.17 грн
100+16.37 грн
250+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TSOP-6
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 13821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.91 грн
12+31.22 грн
100+12.30 грн
3000+9.98 грн
6000+9.90 грн
24000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.11 грн
50+33.95 грн
100+15.41 грн
500+14.06 грн
1500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.83 грн
11+30.86 грн
100+19.81 грн
500+14.12 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.