IRF5801TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5801TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm.
Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 9.36 грн до 34.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 179 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm |
на замовлення 6414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 26530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
на замовлення 8761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC |
на замовлення 31296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF Код товару: 29370 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 0,6 A Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |