Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF

irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac
Код товару: 29370
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 0,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 10.34 грн до 51.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
982+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 982 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2368+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.05 грн
6000+13.56 грн
9000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.52 грн
6000+14.00 грн
9000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.52 грн
6000+14.00 грн
9000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2231+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
6000+14.05 грн
9000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
6000+14.06 грн
9000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.20 грн
48+16.02 грн
100+15.28 грн
250+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.84 грн
100+26.23 грн
500+19.78 грн
1000+16.92 грн
3000+13.61 грн
6000+11.19 грн
9000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
12+35.89 грн
14+31.03 грн
50+21.13 грн
100+17.95 грн
500+12.92 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.95 грн
50+22.61 грн
100+18.67 грн
500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
982+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 982 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2368+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.05 грн
6000+13.56 грн
9000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.52 грн
6000+14.00 грн
9000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.52 грн
6000+14.00 грн
9000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2231+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.14 грн
6000+14.05 грн
9000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.15 грн
6000+14.06 грн
9000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+16.20 грн
48+16.02 грн
100+15.28 грн
250+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+40.84 грн
100+26.23 грн
500+19.78 грн
1000+16.92 грн
3000+13.61 грн
6000+11.19 грн
9000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.96 грн
12+35.89 грн
14+31.03 грн
50+21.13 грн
100+17.95 грн
500+12.92 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.73 грн
10+30.95 грн
50+22.61 грн
100+18.67 грн
500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.