IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TSOP-6
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 0,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 10.18 грн до 66.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 0.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC |
на замовлення 19087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm |
на замовлення 2714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm |
на замовлення 2714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF5801TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 157 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.62 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.71 грн |
| 6000+ | 13.25 грн |
| 9000+ | 12.35 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.71 грн |
| 6000+ | 13.25 грн |
| 9000+ | 12.35 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2368+ | 14.94 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2368+ | 14.94 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.97 грн |
| 6000+ | 12.01 грн |
| 12000+ | 11.90 грн |
| 18000+ | 11.35 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.05 грн |
| 6000+ | 13.56 грн |
| 9000+ | 12.31 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.06 грн |
| 6000+ | 12.09 грн |
| 12000+ | 11.97 грн |
| 18000+ | 11.41 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.10 грн |
| 51+ | 14.97 грн |
| 100+ | 14.38 грн |
| 250+ | 13.27 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 40.71 грн |
| 540+ | 26.20 грн |
| 710+ | 19.94 грн |
| 1000+ | 16.97 грн |
| 3000+ | 12.63 грн |
| 6000+ | 10.74 грн |
| 9000+ | 10.18 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.43 грн |
| 12+ | 35.49 грн |
| 14+ | 30.68 грн |
| 50+ | 20.89 грн |
| 100+ | 17.74 грн |
| 500+ | 12.77 грн |
| 1000+ | 12.02 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.37 грн |
| 10+ | 29.92 грн |
| 100+ | 19.19 грн |
| 500+ | 13.68 грн |
| 1000+ | 12.28 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 66.18 грн |
| 19+ | 40.71 грн |
| 100+ | 26.20 грн |
| 500+ | 19.23 грн |
| 1000+ | 15.71 грн |
| 3000+ | 12.12 грн |
| 6000+ | 10.74 грн |
| 9000+ | 10.18 грн |
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 19087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF5801TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







