Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5801TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 8.39 грн до 42.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 22530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1021+11.96 грн
1283+9.52 грн
1364+8.95 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 1021
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2374+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 2374
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2374+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 2374
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.04 грн
500+16.09 грн
1500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
397+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 397
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.53 грн
50+27.98 грн
100+21.04 грн
500+16.09 грн
1500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
18+22.53 грн
50+20.54 грн
74+12.18 грн
203+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.28 грн
22+28.75 грн
25+28.54 грн
100+11.76 грн
250+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+27.28 грн
100+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
11+28.08 грн
50+24.65 грн
74+14.62 грн
203+13.89 грн
3000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN-3363052.pdf MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 21333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.40 грн
11+31.90 грн
100+11.92 грн
250+11.40 грн
3000+9.78 грн
6000+9.71 грн
9000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.