IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TSOP-6
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 3.17 грн до 51.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 15825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC |
на замовлення 11176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF5801TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |