Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5801TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 9.14 грн до 46.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.60 грн
6000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.36 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2368+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 2368
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2368+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 2368
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.18 грн
15+27.93 грн
16+24.83 грн
50+17.14 грн
74+12.61 грн
203+11.98 грн
500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 22125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+39.04 грн
500+28.88 грн
1000+13.67 грн
3000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF
Код товару: 29370
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TSOP-6
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.37 грн
12+27.21 грн
100+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.01 грн
9+34.80 грн
10+29.80 грн
50+20.56 грн
74+15.14 грн
203+14.38 грн
500+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.83 грн
12+29.78 грн
100+11.73 грн
3000+9.52 грн
6000+9.44 грн
24000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.12 грн
22+33.09 грн
25+32.77 грн
100+14.44 грн
250+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.