IRF5802TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.66 грн |
| 9000+ | 10.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5802TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRF5802TRPBF за ціною від 9.67 грн до 60.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 0.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
на замовлення 6454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF5802TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF5802TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 724 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.66 грн |
| 9000+ | 10.57 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.73 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.91 грн |
| 9000+ | 10.82 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.98 грн |
| 6000+ | 10.82 грн |
| 9000+ | 10.34 грн |
| 24000+ | 9.67 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.82 грн |
| 6000+ | 10.41 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2453+ | 14.42 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2453+ | 14.42 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.49 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.06 грн |
| 54000+ | 15.59 грн |
| 81000+ | 14.50 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 404+ | 35.04 грн |
| 593+ | 23.86 грн |
| 763+ | 18.54 грн |
| 1000+ | 15.29 грн |
| 3000+ | 11.53 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 40.18 грн |
| 16+ | 27.20 грн |
| 100+ | 16.50 грн |
| 250+ | 13.76 грн |
| 500+ | 12.11 грн |
| 1000+ | 11.86 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.14 грн |
| 10+ | 30.37 грн |
| 100+ | 19.49 грн |
| 500+ | 13.90 грн |
| 1000+ | 12.48 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.61 грн |
| 22+ | 35.04 грн |
| 100+ | 23.86 грн |
| 500+ | 17.88 грн |
| 1000+ | 14.16 грн |
| 3000+ | 11.06 грн |
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF5802TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.71 грн |







