Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF Infineon Technologies

irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.06 грн
6000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5802TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF5802TRPBF за ціною від 8.72 грн до 60.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.70 грн
9000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.80 грн
9000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
6000+10.79 грн
9000+10.32 грн
24000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
9000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2453
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2453
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.55 грн
18+24.21 грн
100+14.98 грн
250+12.61 грн
500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
12+26.13 грн
100+16.72 грн
500+11.88 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5802_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.65 грн
11+29.60 грн
100+16.53 грн
500+12.52 грн
1000+11.25 грн
3000+9.56 грн
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.69 грн
26+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.05 грн
396+35.65 грн
586+24.10 грн
757+17.99 грн
1000+14.22 грн
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF International Rectifier/Infineon irf5802.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 724
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.70 грн
9000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
9000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.96 грн
6000+10.79 грн
9000+10.32 грн
24000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.58 грн
9000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2453+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2453
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2453+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2453
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.55 грн
18+24.21 грн
100+14.98 грн
250+12.61 грн
500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.51 грн
12+26.13 грн
100+16.72 грн
500+11.88 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF Infineon_IRF5802_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.65 грн
11+29.60 грн
100+16.53 грн
500+12.52 грн
1000+11.25 грн
3000+9.56 грн
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.69 грн
26+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf7807vpbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+53.05 грн
396+35.65 грн
586+24.10 грн
757+17.99 грн
1000+14.22 грн
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 900 мА, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 724
В кошику  од. на суму  грн.