Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf5802-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5802TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5802TRPBF за ціною від 7.41 грн до 40.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2453+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 2453
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2453+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 2453
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+33.24 грн
32+21.70 грн
33+21.03 грн
100+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.93 грн
17+23.63 грн
20+20.24 грн
75+12.37 грн
206+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.86 грн
43+19.85 грн
100+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.17 грн
17+19.22 грн
100+11.57 грн
500+10.84 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF5802-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
на замовлення 22761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.14 грн
17+20.96 грн
100+10.96 грн
500+10.36 грн
1000+7.86 грн
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.72 грн
10+29.45 грн
12+24.29 грн
75+14.84 грн
206+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 900 мА; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА; TSOP-6
на замовлення 724 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7807vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.