IRF5803TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2080+ | 15.56 грн |
| 10000+ | 13.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5803TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF5803TRPBF за ціною від 7.79 грн до 55.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3511 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF5803TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC |
товару немає в наявності |