IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF Infineon Technologies


irf7807zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2080+16.97 грн
10000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 2080
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5803TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF5803TRPBF за ціною від 7.79 грн до 56.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.73 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 397
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.65 грн
16+27.09 грн
50+18.28 грн
100+15.83 грн
500+11.51 грн
1000+10.07 грн
1500+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.45 грн
50+32.98 грн
100+22.73 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF International Rectifier/Infineon irf5803pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 2050
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.73 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
397+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 397
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.65 грн
16+27.09 грн
50+18.28 грн
100+15.83 грн
500+11.51 грн
1000+10.07 грн
1500+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.45 грн
50+32.98 грн
100+22.73 грн
500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 2050
В кошику  од. на суму  грн.