Технічний опис IRF5850TR IOR
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 960mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції IRF5850TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF5850TR | Виробник : IOR |
 01+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF5850TR | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 97318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF5850TR | Виробник : IR |
SOT23-6 |
на замовлення 97300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF5850TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
товару немає в наявності |