IRF5850TRPBF
Код товару: 34942
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TSOP-6
Uds,V: 20 V
Id,A: 1,8/2,2 A
Rds(on),Om: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.00 грн |
| 100+ | 6.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5850TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF5850TRPBF | International Rectifier |
TSOP-6 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF5850TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF5850TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF5850TRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
TSOP-6 Транзистори
TSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5850TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5850TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.