IRF5851
Код товару: 23586
Виробник: IRUds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5851
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5851 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
товар відсутній |
|
 |
IRF5851 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET |
товар відсутній |