Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF60B217
IRF60B217

IRF60B217 Infineon Technologies

2192infineon-irf60b217-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46256fb43b301576e3c.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF60B217 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF60B217 за ціною від 45.83 грн до 104.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF60B217 IRF60B217 Infineon Technologies 2192infineon-irf60b217-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46256fb43b301576e3c.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 IRF60B217 Infineon Technologies irf60b217 Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 IRF60B217 Infineon Technologies 2192infineon-irf60b217-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46256fb43b301576e3c.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.51 грн
500+94.04 грн
1000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 IRF60B217 Infineon Technologies Infineon_IRF60B217_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs 60V, 60A, 9.0 mOhm 44 nC Qg
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 International Rectifier HiRel Products irf60b217 Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.51 грн
500+94.04 грн
1000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 2192infineon-irf60b217-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46256fb43b301576e3c.pdf
IRF60B217
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 irf60b217
IRF60B217
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
269+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 2192infineon-irf60b217-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46256fb43b301576e3c.pdf
IRF60B217
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+104.51 грн
500+94.04 грн
1000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 Infineon_IRF60B217_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRF60B217
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V, 60A, 9.0 mOhm 44 nC Qg
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60B217 irf60b217
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+104.51 грн
500+94.04 грн
1000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.