IRF60DM206 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 120.37 грн |
| 1000+ | 109.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF60DM206 INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.
Інші пропозиції IRF60DM206 за ціною від 109.00 грн до 255.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF60DM206 | International Rectifier |
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWERPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
на замовлення 50508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF60DM206 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
на замовлення 8173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 10908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 15944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 12028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 11628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
на замовлення 50508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 136.17 грн |
| IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 8173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 255.99 грн |
| 10+ | 214.14 грн |
| 100+ | 171.48 грн |
| 500+ | 120.37 грн |
| 1000+ | 109.00 грн |
| IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 10908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 188.16 грн |
| 500+ | 169.34 грн |
| 1000+ | 156.41 грн |
| 10000+ | 133.81 грн |
| IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 15944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 188.16 грн |
| 500+ | 169.34 грн |
| 1000+ | 156.41 грн |
| 10000+ | 133.81 грн |
| IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 12028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 188.16 грн |
| 500+ | 169.34 грн |
| 1000+ | 156.41 грн |
| 10000+ | 133.81 грн |
| IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 11628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 188.16 грн |
| 500+ | 169.34 грн |
| 1000+ | 156.41 грн |
| 10000+ | 133.81 грн |



