Продукція > INFINEON > IRF60DM206ATMA1
IRF60DM206ATMA1

IRF60DM206ATMA1 INFINEON


INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0022 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+176.61 грн
500+125.68 грн
1000+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF60DM206ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0022 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF60DM206ATMA1 за ціною від 103.28 грн до 278.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0022 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.12 грн
10+227.78 грн
100+176.61 грн
500+125.68 грн
1000+103.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf60dm206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf60dm206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF60DM206-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e433aa19ca Description: FET N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF60DM206-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e433aa19ca Description: FET N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF60DM206_DataSheet_v01_01_EN-3224017.pdf MOSFETs 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.