Продукція > INFINEON > IRF60DM206ATMA1
IRF60DM206ATMA1

IRF60DM206ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+185.02 грн
500+127.51 грн
1000+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF60DM206ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: DirectFET ME, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції IRF60DM206ATMA1 за ціною від 103.61 грн до 263.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Infineon Technologies infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 24153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Infineon Technologies infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 9971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Infineon Technologies infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 Infineon Technologies infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 INFINEON INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.13 грн
10+252.45 грн
100+185.02 грн
500+127.51 грн
1000+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf
IRF60DM206ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 24153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf
IRF60DM206ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 9971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf
IRF60DM206ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 infineonirf60dm206datasheetv0101en.pdf
IRF60DM206ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206ATMA1 INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF60DM206ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+263.13 грн
10+252.45 грн
100+185.02 грн
500+127.51 грн
1000+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.