Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF60R217
IRF60R217

IRF60R217 Infineon Technologies

5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF60R217 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF60R217 за ціною від 36.22 грн до 134.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
628+49.53 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 628
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+110.27 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies irf60r217-3364058.pdf MOSFETs 60V, 58A, 9.9 mOhm 40 nC Qg
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.91 грн
10+86.39 грн
100+52.64 грн
500+44.73 грн
1000+40.67 грн
2000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies irf60r217.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e43be619cc Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.46 грн
10+82.09 грн
100+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies 5098irf60r217.pdffileid5546d462533600a4015355e43be619cc.pdffileid5546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60R217 IRF60R217 Виробник : Infineon Technologies irf60r217.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e43be619cc Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.