IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 388 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 167.93 грн |
| 1600+ | 138.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 363, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 417, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7, Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 945, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF60SC241ARMA1 за ціною від 111.31 грн до 372.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60SC241ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 363 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 417 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 945 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 388 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60SC241ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 363 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 417 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 945 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRF60SC241ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
товар відсутній |