IRF6201TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6201TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V.
Інші пропозиції IRF6201TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6201TRPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF6201TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl
MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



