IRF6201TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6201TRPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V.
Інші пропозиції IRF6201TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 27 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF6201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF6201TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl |
товару немає в наявності |