IRF6216TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 786+ | 45.33 грн |
| 1000+ | 41.80 грн |
| 10000+ | 37.27 грн |
| 100000+ | 30.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
786 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6216TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6216TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF6216TRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
IRF6216TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRF6216TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRF6216TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRF6216TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6216TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6216TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6216TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
MOSFETs MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6216TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6216TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.






