IRF6216TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 35.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6216TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6216TRPBF за ціною від 74.36 грн до 74.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6216TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF6216TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC |
на замовлення 200 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||
 |
IRF6216TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRF6216TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF6216TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF6216TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRF6216TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF6216TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRF6216TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |