IRF6218PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6218PBF - IRF6218 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 257+ | 98.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6218PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6218PBF за ціною від 113.19 грн до 135.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6218PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF6218PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF6218PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF6218pbf | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF6218pbf | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC |
товару немає в наявності |