Технічний опис IRF6218pbf International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRF6218pbf
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF6218pbf | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
IRF6218pbf | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRF6218pbf | Infineon / IR |
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF6218pbf |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6218pbf |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6218pbf |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





