IRF630A


IRF630A.pdf
Код товару: 18853
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF630A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630A Виробник : FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A IRF630A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.