IRF630A
Код товару: 18853
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF630A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF630A | Виробник : FSC |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
IRF630A | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
