Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 243 шт:
168 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 18.63 грн до 113.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
546+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 546
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
493+24.67 грн
494+24.60 грн
514+23.65 грн
519+22.58 грн
1000+20.48 грн
2000+19.46 грн
5000+18.83 грн
10000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 493
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.62 грн
50+26.51 грн
100+25.52 грн
500+24.36 грн
1000+21.94 грн
2000+21.03 грн
5000+20.21 грн
10000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
929+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.78 грн
10+63.64 грн
25+50.93 грн
39+23.92 грн
107+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.75 грн
50+38.34 грн
100+36.67 грн
500+33.50 грн
1000+30.08 грн
2000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.93 грн
10+79.30 грн
25+61.11 грн
39+28.71 грн
107+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF630N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.35 грн
10+40.53 грн
100+30.93 грн
500+29.64 грн
1000+28.20 грн
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.94 грн
19+46.00 грн
100+40.90 грн
500+36.32 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1N4148
Код товару: 176824
Додати до обраних Обраний товар

1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 29251 шт
25169 шт - склад
1045 шт - РАДІОМАГ-Київ
323 шт - РАДІОМАГ-Львів
1575 шт - РАДІОМАГ-Харків
593 шт - РАДІОМАГ-Одеса
546 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
17+0.60 грн
100+0.40 грн
1000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар

description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM358P
Код товару: 24924
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 756 шт
695 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+7.00 грн
10+6.00 грн
100+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 996 шт
905 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 1500 шт
1500 шт - очікується 14.09.2025
Кількість Ціна
2+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
Додати до обраних Обраний товар

irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
30 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.