Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 227 шт:
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 17.96 грн до 119.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+22.08 грн
590+22.05 грн
594+21.89 грн
596+21.03 грн
1000+19.28 грн
2000+18.32 грн
5000+18.13 грн
10000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
576+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 576
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+23.55 грн
50+23.52 грн
100+23.34 грн
500+22.44 грн
1000+20.56 грн
2000+19.54 грн
5000+19.34 грн
10000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
929+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.05 грн
12000+43.00 грн
18000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.26 грн
12+36.25 грн
25+31.74 грн
50+29.65 грн
100+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.11 грн
10+45.17 грн
25+38.08 грн
50+35.58 грн
100+33.67 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.70 грн
10+43.89 грн
100+36.16 грн
500+31.35 грн
1000+30.07 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.13 грн
21+44.43 грн
100+43.62 грн
500+36.50 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.69 грн
50+55.07 грн
100+49.14 грн
500+36.35 грн
1000+33.20 грн
2000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910
Додати до обраних Обраний товар

LM324.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM324N
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
у наявності: 343 шт
249 шт - склад
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
5+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BN
Код товару: 4328
Додати до обраних Обраний товар

CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 592 шт
585 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
3+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C
Код товару: 123175
Додати до обраних Обраний товар

tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 153903
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 347 шт
136 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна
12+4.50 грн
14+3.80 грн
100+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
74HC164D
Код товару: 1663
Додати до обраних Обраний товар

description 74hc164d.pdf
74HC164D
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Регістр зрушення 8-біт. Послед.вход, парал.выход
Монтаж: SMD
Аналог RUS: ІР8
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40…+125°C
у наявності: 229 шт
200 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
6+9.00 грн
10+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.