Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF

IRF630NPBF

Name: IRF630NPBF
Brand: IR
SKU: 15961
Price: 36.00 UAH
Availability: InStock

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6

Код товару: 15961

1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT

у наявності 225 шт:

167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
2+	18.00 грн
10+	15.90 грн
100+	14.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Max Voltage Vds:200V
On State Resistance:0.3ohm
Power Dissipation:82W
Transistor Case Style:TO-220AB
No. of Pins:3
Case Style:TO-220AB
Cont Current Id:9.3A
Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
Max Voltage Vgs th:4V
Power Dissipation Pd:82W
Pulse Current Idm:37A
Termination Type:Through Hole
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:200V
Typ Voltage Vgs th:4V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 23.44 грн до 140.23 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
552+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 552

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
410+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 410

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
382+	33.88 грн
383+	33.79 грн
404+	32.08 грн
500+	28.44 грн
1000+	26.06 грн
2000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 382

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	34.60 грн
50+	34.58 грн
100+	33.82 грн
500+	31.76 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 4414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	36.34 грн
50+	36.25 грн
100+	34.42 грн
500+	30.51 грн
1000+	27.96 грн
2000+	26.80 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
929+	40.64 грн

Мінімальне замовлення: 929

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	46.84 грн
52000+	42.80 грн
78000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
593+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
593+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	120.28 грн
50+	55.17 грн
100+	49.24 грн
500+	36.42 грн
1000+	33.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	134.52 грн
10+	82.78 грн
100+	47.66 грн
500+	37.81 грн
1000+	33.61 грн
2000+	30.68 грн
5000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	140.23 грн
16+	52.91 грн
100+	47.78 грн
500+	37.70 грн
1000+	34.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : International Rectifier

TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 82, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
кількість в упаковці: 100 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF630NPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910

2 Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224

Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT

у наявності: 275 шт

200 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів

Кількість	Ціна
2+	11.00 грн
10+	9.90 грн
100+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

UC3845BN
Код товару: 4328

2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C

у наявності: 556 шт

491 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів

Кількість	Ціна
1+	20.00 грн
10+	18.00 грн
100+	16.20 грн

В кошику од. на суму грн.

BDX53C
Код товару: 123175

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT

товару немає в наявності

очікується: 100 шт

100 шт - очікується

Кількість	Ціна
2+	18.00 грн
10+	16.20 грн
100+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 153903

2 Додати до обраних Обраний товар

680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)

Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин

у наявності: 161 шт

30 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
58 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

очікується: 1000 шт

1000 шт - очікується

Кількість	Ціна
5+	4.50 грн
10+	3.80 грн
100+	3.30 грн
1000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

74HC164D
Код товару: 1663

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Регістр зрушення 8-біт. Послед.вход, парал.выход
Монтаж: SMD
Аналог RUS: ІР8
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40…+125°C

у наявності: 192 шт

170 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків

Кількість	Ціна
3+	9.00 грн
10+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.