Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
  • 167 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 25.38 грн до 172.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.39 грн
16000+29.60 грн
24000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.50 грн
2000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.50 грн
2000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+74.50 грн
10+44.39 грн
25+38.54 грн
50+35.08 грн
100+33.11 грн
250+30.64 грн
500+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.57 грн
100+73.68 грн
500+58.07 грн
1000+51.15 грн
2000+43.59 грн
5000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.57 грн
191+73.68 грн
500+58.07 грн
1000+51.15 грн
2000+43.59 грн
5000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.32 грн
50+63.63 грн
100+56.78 грн
500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.25 грн
50+80.16 грн
100+71.54 грн
500+54.37 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.25 грн
176+80.16 грн
197+71.54 грн
500+54.37 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+171.61 грн
172+81.77 грн
193+72.96 грн
500+55.45 грн
1000+46.91 грн
2000+41.44 грн
5000+37.56 грн
10000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.47 грн
50+82.17 грн
100+73.32 грн
500+55.72 грн
1000+47.13 грн
2000+41.65 грн
5000+37.75 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
554+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+32.39 грн
16000+29.60 грн
24000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+51.50 грн
2000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+51.50 грн
2000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+74.50 грн
10+44.39 грн
25+38.54 грн
50+35.08 грн
100+33.11 грн
250+30.64 грн
500+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.57 грн
100+73.68 грн
500+58.07 грн
1000+51.15 грн
2000+43.59 грн
5000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+82.57 грн
191+73.68 грн
500+58.07 грн
1000+51.15 грн
2000+43.59 грн
5000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.32 грн
50+63.63 грн
100+56.78 грн
500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+168.25 грн
50+80.16 грн
100+71.54 грн
500+54.37 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.25 грн
176+80.16 грн
197+71.54 грн
500+54.37 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+171.61 грн
172+81.77 грн
193+72.96 грн
500+55.45 грн
1000+46.91 грн
2000+41.44 грн
5000+37.56 грн
10000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.47 грн
50+82.17 грн
100+73.32 грн
500+55.72 грн
1000+47.13 грн
2000+41.65 грн
5000+37.75 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910
2 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 LM324.pdf
LM324N
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Напруга живлення Vc, В: 32 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1,2 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 1 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
  • 136 шт - склад
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
2+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BN
Код товару: 4328
2 Додати до обраних Обраний товар
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 8,2...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 349 шт
  • 291 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C
Код товару: 123175
Додати до обраних Обраний товар
tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
  • 80 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 153903
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 680 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
у наявності: 100 шт
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC164D
Код товару: 1663
Додати до обраних Обраний товар
description 74hc164d.pdf
74HC164D
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Регістр зсуву 8-біт. Послідовний вхід, паралельний вихід
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Аналог RUS: ІР8
Живлення, В: 2...6 В
Температура, °С: -40...+125°С
у наявності: 186 шт
  • 146 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
3+9.00 грн
10+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.