Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 211 шт
  • 157 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 25.55 грн до 124.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.61 грн
16000+29.80 грн
24000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.24 грн
2000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.24 грн
2000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.11 грн
307+46.20 грн
327+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.63 грн
15+53.11 грн
50+46.20 грн
100+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.75 грн
10+45.73 грн
25+39.71 грн
50+36.14 грн
100+34.11 грн
250+31.56 грн
500+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 47040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.70 грн
236+60.18 грн
264+53.61 грн
500+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+57.80 грн
50+42.91 грн
100+35.74 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.97 грн
11+71.46 грн
50+56.37 грн
100+48.95 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.97 грн
198+71.46 грн
251+56.37 грн
279+48.95 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 47063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.68 грн
10+78.99 грн
50+60.39 грн
100+51.89 грн
500+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
554+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+32.61 грн
16000+29.80 грн
24000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+41.24 грн
2000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+41.24 грн
2000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
267+53.11 грн
307+46.20 грн
327+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.63 грн
15+53.11 грн
50+46.20 грн
100+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.75 грн
10+45.73 грн
25+39.71 грн
50+36.14 грн
100+34.11 грн
250+31.56 грн
500+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 47040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+78.70 грн
236+60.18 грн
264+53.61 грн
500+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.94 грн
10+57.80 грн
50+42.91 грн
100+35.74 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.97 грн
11+71.46 грн
50+56.37 грн
100+48.95 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+104.97 грн
198+71.46 грн
251+56.37 грн
279+48.95 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 47063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+124.68 грн
10+78.99 грн
50+60.39 грн
100+51.89 грн
500+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910
4 Додати до обраних Обраний товар
LM324.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM324N
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Напруга живлення Vc, В: 32 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1,2 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 1 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
у наявності: 160 шт
  • 100 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується 27.08.2026
на замовлення: 11 шт
  • 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BN
Код товару: 4328
2 Додати до обраних Обраний товар
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 8,2...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 316 шт
  • 265 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C
Код товару: 123175
Додати до обраних Обраний товар
tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
  • 50 шт - склад
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148
Код товару: 176824
16 Додати до обраних Обраний товар
1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
у наявності: 14151 шт
  • 9571 шт - склад
  • 888 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 144 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3548 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
34+0.60 грн
100+0.40 грн
1000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 (TO-220 ST)
Код товару: 186775
6 Додати до обраних Обраний товар
IRF520 (TO-220 ST)
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 108 шт
  • 72 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.