
IRF630NPBF

Код товару: 15961
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 81 шт:
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF630NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.3ohm
- Power Dissipation:82W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:9.3A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation Pd:82W
- Pulse Current Idm:37A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 18.11 грн до 108.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 148804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 135194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 135194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 23.3nC On-state resistance: 0.3Ω |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 23.3nC On-state resistance: 0.3Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
1N4148 Код товару: 176824
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 11382 шт
8297 шт - склад
489 шт - РАДІОМАГ-Київ
702 шт - РАДІОМАГ-Львів
746 шт - РАДІОМАГ-Харків
820 шт - РАДІОМАГ-Одеса
328 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
489 шт - РАДІОМАГ-Київ
702 шт - РАДІОМАГ-Львів
746 шт - РАДІОМАГ-Харків
820 шт - РАДІОМАГ-Одеса
328 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
17+ | 0.60 грн |
100+ | 0.40 грн |
1000+ | 0.28 грн |
IRF640 Код товару: 7926
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.00 грн |
10+ | 23.10 грн |
LM358P Код товару: 24924
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
у наявності: 1147 шт
1069 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 7.00 грн |
10+ | 6.00 грн |
100+ | 5.40 грн |
NE555P Код товару: 26138
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1824 шт
1660 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 8.00 грн |
10+ | 7.20 грн |
100+ | 6.50 грн |
1000+ | 5.80 грн |
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) Код товару: 156293
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
50 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.00 грн |
10+ | 19.80 грн |