Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 240 шт:
167 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 18.71 грн до 114.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 148804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
557+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 557
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+24.43 грн
524+23.54 грн
529+23.32 грн
1000+22.28 грн
2000+20.14 грн
5000+19.05 грн
10000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
421+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
929+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+32.81 грн
27+26.08 грн
100+25.12 грн
500+24.01 грн
1000+22.03 грн
2000+20.64 грн
5000+20.33 грн
10000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.66 грн
50+33.62 грн
100+31.04 грн
500+28.98 грн
1000+28.57 грн
2000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF630N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.41 грн
11+33.13 грн
100+28.27 грн
500+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.25 грн
19+46.13 грн
100+41.01 грн
500+36.42 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1N4148
Код товару: 176824
Додати до обраних Обраний товар

1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 24711 шт
21683 шт - склад
559 шт - РАДІОМАГ-Київ
151 шт - РАДІОМАГ-Львів
1531 шт - РАДІОМАГ-Харків
543 шт - РАДІОМАГ-Одеса
244 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
34+0.60 грн
100+0.40 грн
1000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар

description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM358P
Код товару: 24924
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 555 шт
519 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+7.00 грн
10+6.00 грн
100+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2001 шт
1887 шт - склад
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
Додати до обраних Обраний товар

irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
30 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.