IRF630NPBF (IR) - Транзистори - Польові N-канальні

IRF630NPBF

Код товару: 15961

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6

в наявності: 124 шт

очікується: 0 шт

1+	18 грн
10+	15.9 грн
100+	14.1 грн

Технічний опис IRF630NPBF

MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Max Voltage Vds:200V
On State Resistance:0.3ohm
Power Dissipation:82W
Transistor Case Style:TO-220AB
No. of Pins:3
Case Style:TO-220AB
Cont Current Id:9.3A
Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
Max Voltage Vgs th:4V
Power Dissipation Pd:82W
Pulse Current Idm:37A
Termination Type:Through Hole
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:200V
Typ Voltage Vgs th:4V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Можливі заміни

IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Виробник: ST
Транзистори - Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT

12 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	13.5 грн
10+	11.9 грн
100+	10.7 грн

Ціна IRF630NPBF від 14.1 грн до 87.32 грн

IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 263 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)

12+	52.32 грн
14+	44.55 грн
100+	32.56 грн

IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2393 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)

11+	58.15 грн
13+	48.38 грн
100+	34.15 грн
500+	26.47 грн
1000+	20.22 грн

IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 67 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)

10+	58.28 грн
13+	48.46 грн

IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

на замовлення 10851 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	75.15 грн
10+	64.87 грн
100+	50.55 грн
500+	39.19 грн
1000+	34.38 грн

IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF630NPBF THT N channel transistors

на замовлення 405 шт
термін постачання 28-42 дні (днів)

20+	75.77 грн
29+	46.71 грн
36+	37.59 грн
39+	34.83 грн
50+	32.1 грн

IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF630NPBF THT N channel transistors

на замовлення 405 шт
термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	80.02 грн
3+	51.22 грн
10+	39.7 грн
50+	33.9 грн

IRF630NPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-1228306.pdf

на замовлення 9215 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	82.56 грн
10+	73.02 грн
100+	49.53 грн
500+	40.91 грн

IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 82
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)