Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
  • 167 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 23.72 грн до 79.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.68 грн
16000+29.86 грн
24000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.38 грн
50+33.85 грн
100+33.23 грн
500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.51 грн
2000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.51 грн
2000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.55 грн
50+54.04 грн
100+48.67 грн
500+37.45 грн
1000+31.75 грн
2000+26.82 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.55 грн
263+54.04 грн
292+48.67 грн
500+37.45 грн
1000+31.75 грн
2000+26.82 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.17 грн
10+44.79 грн
25+38.89 грн
50+35.40 грн
100+33.40 грн
250+30.91 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.32 грн
50+56.82 грн
100+50.62 грн
500+38.18 грн
1000+32.16 грн
2000+26.91 грн
5000+25.45 грн
10000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.68 грн
249+57.08 грн
279+50.85 грн
500+38.35 грн
1000+32.30 грн
2000+27.02 грн
5000+25.56 грн
10000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
554+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+32.68 грн
16000+29.86 грн
24000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
419+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+35.38 грн
50+33.85 грн
100+33.23 грн
500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+35.51 грн
2000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+35.51 грн
2000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.55 грн
50+54.04 грн
100+48.67 грн
500+37.45 грн
1000+31.75 грн
2000+26.82 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+72.55 грн
263+54.04 грн
292+48.67 грн
500+37.45 грн
1000+31.75 грн
2000+26.82 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.17 грн
10+44.79 грн
25+38.89 грн
50+35.40 грн
100+33.40 грн
250+30.91 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.32 грн
50+56.82 грн
100+50.62 грн
500+38.18 грн
1000+32.16 грн
2000+26.91 грн
5000+25.45 грн
10000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
178+79.68 грн
249+57.08 грн
279+50.85 грн
500+38.35 грн
1000+32.30 грн
2000+27.02 грн
5000+25.56 грн
10000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910
2 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 LM324.pdf
LM324N
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Напруга живлення Vc, В: 32 В
Смуга пропускання BW, МГц: 1,2 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 1 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
К-сть каналів: 4
Монтаж: THT
у наявності: 161 шт
  • 112 шт - склад
  • 37 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 520 шт
  • 500 шт - очікується 27.08.2026
  • 20 шт - очікується
на замовлення: 11 шт
  • 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BN
Код товару: 4328
2 Додати до обраних Обраний товар
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 8,2...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 340 шт
  • 279 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C
Код товару: 123175
Додати до обраних Обраний товар
tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
  • 80 шт - склад
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148
Код товару: 176824
15 Додати до обраних Обраний товар
1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
у наявності: 18024 шт
  • 12881 шт - склад
  • 124 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 972 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 244 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3803 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
34+0.60 грн
100+0.40 грн
1000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 (TO-220 ST)
Код товару: 186775
6 Додати до обраних Обраний товар
IRF520 (TO-220 ST)
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 9,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 112 шт
  • 76 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.