IRF634B-FP001 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF634B-FP001 onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRF634B-FP001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF634B_FP001 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF634B_FP001 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.