IRF640NLPBF

IRF640NLPBF Infineon Technologies


infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640NLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640NLPBF за ціною від 53.46 грн до 143.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.12 грн
50+ 93.63 грн
100+ 77.04 грн
500+ 61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.22 грн
10+ 108.35 грн
100+ 75.1 грн
500+ 63.01 грн
1000+ 53.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.98 грн
10+ 104.92 грн
100+ 84.24 грн
500+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній