Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640NSTRLPBF за ціною від 33.46 грн до 143.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.32 грн
1600+41.96 грн
2400+39.50 грн
4000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.42 грн
1600+39.38 грн
2400+37.66 грн
4000+33.52 грн
5600+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.34 грн
1600+44.95 грн
2400+42.31 грн
4000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.27 грн
1600+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.93 грн
1600+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.14 грн
250+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+69.75 грн
205+62.27 грн
234+54.70 грн
500+45.36 грн
1600+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+71.97 грн
13+59.29 грн
25+47.46 грн
100+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.56 грн
10+63.80 грн
50+51.09 грн
100+46.50 грн
250+41.17 грн
800+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 32605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.38 грн
10+69.26 грн
100+47.87 грн
800+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+79.51 грн
50+61.31 грн
100+55.80 грн
250+49.40 грн
800+42.22 грн
1600+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+125.41 грн
11+82.57 грн
50+75.33 грн
100+63.14 грн
250+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.07 грн
10+87.58 грн
100+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.