Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+46.25 грн
1600+41.03 грн
2400+39.24 грн
4000+34.93 грн
5600+33.82 грн
8000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF640NSTRLPBF за ціною від 38.80 грн до 161.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.36 грн
1600+60.20 грн
2400+57.58 грн
4000+52.68 грн
5600+47.21 грн
8000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.69 грн
1600+60.51 грн
2400+57.87 грн
4000+52.94 грн
5600+47.45 грн
8000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.79 грн
10+69.48 грн
50+54.72 грн
100+49.83 грн
250+44.44 грн
500+40.96 грн
800+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.13 грн
10+88.20 грн
100+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.27 грн
10+100.41 грн
100+62.89 грн
800+53.78 грн
1600+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.27 грн
141+100.41 грн
225+62.89 грн
800+53.78 грн
1600+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+65.36 грн
1600+60.20 грн
2400+57.58 грн
4000+52.68 грн
5600+47.21 грн
8000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+65.69 грн
1600+60.51 грн
2400+57.87 грн
4000+52.94 грн
5600+47.45 грн
8000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.79 грн
10+69.48 грн
50+54.72 грн
100+49.83 грн
250+44.44 грн
500+40.96 грн
800+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.13 грн
10+88.20 грн
100+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.27 грн
10+100.41 грн
100+62.89 грн
800+53.78 грн
1600+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+161.27 грн
141+100.41 грн
225+62.89 грн
800+53.78 грн
1600+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.