IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 181+ | 64.89 грн |
| 183+ | 64.25 грн |
| 184+ | 63.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF640NSTRRPBF за ціною від 38.04 грн до 115.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF640NSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF640NSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF640NSTRRPBF |
|
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF640NSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF640NSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF640NSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |