Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > IRF644B-FP001
IRF644B-FP001

IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor

IRF644B-D.PDF Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor

Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF644B-FP001 за ціною від 183.59 грн до 183.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF644B-FP001 Виробник : FAIRCHILD IRF644B-D.PDF IRF644B.pdf IRF644B-FP001
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+183.59 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001 Виробник : ONSEMI IRF644B-D.PDF Description: ONSEMI - IRF644B-FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 Виробник : onsemi IRF644B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild IRF644B_D-2314408.pdf MOSFET 250V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.