Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF International Rectifier

IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6613TRPBF International Rectifier

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 61.47 грн до 165.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.02 грн
133+91.25 грн
137+88.83 грн
500+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 32620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.16 грн
500+112.04 грн
1000+102.96 грн
10000+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.16 грн
500+112.04 грн
1000+102.96 грн
10000+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+128.01 грн
114+106.75 грн
117+103.99 грн
137+85.37 грн
250+76.87 грн
500+71.69 грн
1000+69.59 грн
3000+67.49 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.32 грн
250+109.42 грн
1000+85.85 грн
2000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+144.35 грн
10+124.03 грн
25+121.96 грн
100+98.70 грн
250+90.48 грн
500+79.72 грн
1000+78.99 грн
3000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.62 грн
50+132.32 грн
250+109.42 грн
1000+85.85 грн
2000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF6613-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.85 грн
10+124.35 грн
100+89.22 грн
500+76.37 грн
4800+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.16 грн
500+112.04 грн
1000+102.96 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 12949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.16 грн
500+112.04 грн
1000+102.96 грн
10000+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F68802DD922F1A303005056AB0C4F&compId=irf6613pbf.pdf?ci_sign=22b184a7d9530b239b01848c8503885fd8923f04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F68802DD922F1A303005056AB0C4F&compId=irf6613pbf.pdf?ci_sign=22b184a7d9530b239b01848c8503885fd8923f04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.