IRF6613TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 76.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6613TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 61.89 грн до 274.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
на замовлення 22140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 29620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 20895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 3670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 3670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF6613TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 9191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF6613TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 12949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |