Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6613TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 57.14 грн до 173.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : International Rectifier IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 32620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+97.00 грн
500+92.87 грн
1000+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+97.00 грн
500+92.87 грн
1000+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.58 грн
500+71.15 грн
1000+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.76 грн
123+99.79 грн
147+83.89 грн
250+79.17 грн
500+65.70 грн
1000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+125.94 грн
10+107.63 грн
100+90.48 грн
250+85.40 грн
500+70.86 грн
1000+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN-3362907.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.32 грн
10+127.87 грн
100+92.28 грн
500+81.69 грн
1000+77.91 грн
2500+66.41 грн
4800+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.10 грн
10+130.68 грн
100+97.58 грн
500+71.15 грн
1000+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F68802DD922F1A303005056AB0C4F&compId=irf6613pbf.pdf?ci_sign=22b184a7d9530b239b01848c8503885fd8923f04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F68802DD922F1A303005056AB0C4F&compId=irf6613pbf.pdf?ci_sign=22b184a7d9530b239b01848c8503885fd8923f04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.