Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6613TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 53.03 грн до 187.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : International Rectifier IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 32620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+96.30 грн
500+92.20 грн
1000+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+96.30 грн
500+92.20 грн
1000+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.62 грн
500+69.49 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.24 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+108.37 грн
10+92.61 грн
100+77.85 грн
250+73.48 грн
500+60.97 грн
1000+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+115.92 грн
123+99.07 грн
147+83.29 грн
250+78.60 грн
500+65.23 грн
1000+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.42 грн
10+136.67 грн
100+99.62 грн
500+69.49 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN-3362907.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.51 грн
10+129.98 грн
100+82.20 грн
500+69.06 грн
1000+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6613-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6613pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6613pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.