Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF Infineon Technologies

infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+83.42 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6613TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 62.87 грн до 278.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF International Rectifier IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+104.38 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.84 грн
250+117.33 грн
1000+83.04 грн
2000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.53 грн
10+137.49 грн
100+88.61 грн
500+71.03 грн
1000+68.92 грн
2500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+262.55 грн
50+169.84 грн
250+117.33 грн
1000+83.04 грн
2000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.73 грн
10+182.07 грн
25+180.13 грн
100+120.78 грн
250+110.70 грн
500+92.80 грн
1000+86.36 грн
3000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.73 грн
78+182.07 грн
79+180.13 грн
113+120.78 грн
250+110.70 грн
500+92.80 грн
1000+86.36 грн
3000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 12949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6613TRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+104.38 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6613TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.84 грн
250+117.33 грн
1000+83.04 грн
2000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.53 грн
10+137.49 грн
100+88.61 грн
500+71.03 грн
1000+68.92 грн
2500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6613TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+262.55 грн
50+169.84 грн
250+117.33 грн
1000+83.04 грн
2000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.73 грн
10+182.07 грн
25+180.13 грн
100+120.78 грн
250+110.70 грн
500+92.80 грн
1000+86.36 грн
3000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+278.73 грн
78+182.07 грн
79+180.13 грн
113+120.78 грн
250+110.70 грн
500+92.80 грн
1000+86.36 грн
3000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 12949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.