Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF Infineon Technologies

infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 170 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6613TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 66.23 грн до 288.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF International Rectifier IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 18127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+97.73 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+131.26 грн
133+109.87 грн
137+106.95 грн
500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+233.35 грн
10+144.83 грн
100+93.34 грн
500+74.82 грн
1000+72.60 грн
2500+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.06 грн
10+188.17 грн
25+186.16 грн
100+124.82 грн
250+114.41 грн
500+95.91 грн
1000+89.25 грн
3000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+288.06 грн
78+188.17 грн
79+186.16 грн
113+124.82 грн
250+114.41 грн
500+95.91 грн
1000+89.25 грн
3000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 12949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6613TRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 18127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+97.73 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+131.26 грн
133+109.87 грн
137+106.95 грн
500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.35 грн
10+144.83 грн
100+93.34 грн
500+74.82 грн
1000+72.60 грн
2500+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+288.06 грн
10+188.17 грн
25+186.16 грн
100+124.82 грн
250+114.41 грн
500+95.91 грн
1000+89.25 грн
3000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+288.06 грн
78+188.17 грн
79+186.16 грн
113+124.82 грн
250+114.41 грн
500+95.91 грн
1000+89.25 грн
3000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6613TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6613TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 12949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
244+149.49 грн
500+134.91 грн
1000+123.97 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.