Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRF6616TRPBF
IRF6616TRPBF

IRF6616TRPBF International Rectifier

IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+122.48 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6616TRPBF International Rectifier

Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF6616TRPBF за ціною від 75.68 грн до 238.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6616_DataSheet_v01_01_EN-1732490.pdf MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
на замовлення 4903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF Infineon Technologies IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.97 грн
10+151.36 грн
100+118.76 грн
500+100.51 грн
1000+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF Infineon Technologies IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.19 грн
10+210.82 грн
25+208.72 грн
100+162.15 грн
250+120.13 грн
500+114.17 грн
1000+113.03 грн
3000+105.15 грн
6000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF Infineon_IRF6616_DataSheet_v01_01_EN-1732490.pdf
IRF6616TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
на замовлення 4903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6616TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6616TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.97 грн
10+151.36 грн
100+118.76 грн
500+100.51 грн
1000+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF IRSDS10488-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.19 грн
10+210.82 грн
25+208.72 грн
100+162.15 грн
250+120.13 грн
500+114.17 грн
1000+113.03 грн
3000+105.15 грн
6000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.