IRF6617TR1 International Rectifier
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 29.28 грн |
| 1001+ | 24.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6617TR1 International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric ST, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6617TR1 за ціною від 32.70 грн до 32.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6617TR1 | Виробник : International Rectifier |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF6617TR1 | Виробник : IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
||||||
| IRF6617TR1 | Виробник : IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRF6617TR1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |