IRF6617TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 91.24 грн |
| 500+ | 78.81 грн |
| 1000+ | 60.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6617TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET ST, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF6617TRPBF за ціною від 57.32 грн до 152.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6617TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6617TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC |
на замовлення 4202 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6617TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF6617TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF6617TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 42W |
товару немає в наявності |