IRF6618TRPBF Infineon Technologies


irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.21 грн
10+155.93 грн
100+108.49 грн
500+82.80 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6618TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MT, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF6618TRPBF за ціною від 82.92 грн до 248.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6618TRPBF IRF6618TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6618_DataSheet_v01_01_EN-1228262.pdf MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 323-332 дні (днів)
2+248.58 грн
10+221.12 грн
100+154.42 грн
500+126.95 грн
1000+98.00 грн
2500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBF Infineon Technologies irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.13 грн
10+178.29 грн
25+171.19 грн
100+140.62 грн
250+117.69 грн
500+110.23 грн
1000+102.89 грн
3000+82.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBF Infineon_IRF6618_DataSheet_v01_01_EN-1228262.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 323-332 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.58 грн
10+221.12 грн
100+154.42 грн
500+126.95 грн
1000+98.00 грн
2500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBF irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.13 грн
10+178.29 грн
25+171.19 грн
100+140.62 грн
250+117.69 грн
500+110.23 грн
1000+102.89 грн
3000+82.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.