IRF6618TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.21 грн |
| 10+ | 155.93 грн |
| 100+ | 108.49 грн |
| 500+ | 82.80 грн |
| 1000+ | 76.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6618TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MT, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6618TRPBF за ціною від 82.92 грн до 248.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6618TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 323-332 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF6618TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 323-332 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.58 грн |
| 10+ | 221.12 грн |
| 100+ | 154.42 грн |
| 500+ | 126.95 грн |
| 1000+ | 98.00 грн |
| 2500+ | 94.28 грн |
| IRF6618TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 198.13 грн |
| 10+ | 178.29 грн |
| 25+ | 171.19 грн |
| 100+ | 140.62 грн |
| 250+ | 117.69 грн |
| 500+ | 110.23 грн |
| 1000+ | 102.89 грн |
| 3000+ | 82.92 грн |



