Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6618TRPBF
IRF6618TRPBF

IRF6618TRPBF Infineon Technologies

Infineon_IRF6618_DataSheet_v01_01_EN-1228262.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 313-322 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.33 грн
10+219.12 грн
100+153.02 грн
500+125.80 грн
1000+97.11 грн
2500+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6618TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MT, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF6618TRPBF за ціною від 74.25 грн до 249.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6618TRPBF IRF6618TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.88 грн
10+156.87 грн
100+109.17 грн
500+83.33 грн
1000+77.18 грн
2000+74.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBF IRF6618TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6618-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b IRF6618TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBF IRF6618TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.