Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6619
IRF6619

IRF6619 Infineon Technologies

IRF6619.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6619 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRF6619 за ціною від 97.19 грн до 132.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6619 IRF6619 Виробник : Infineon Technologies IRF6619.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
на замовлення 13859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.10 грн
10+108.05 грн
100+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619 IRF6619 Виробник : Infineon Technologies irf6619.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 30A 7-Pin Direct-FET MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619 IRF6619 Виробник : Infineon Technologies irf6619-1169281.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.