Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRF6620TRPBF
IRF6620TRPBF

IRF6620TRPBF International Rectifier

IRSDS09305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6620TRPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRF6620TRPBF за ціною від 48.48 грн до 154.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6620_DataSheet_v01_01_EN-1228010.pdf MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.28 грн
10+120.69 грн
100+85.13 грн
500+67.45 грн
1000+56.51 грн
4800+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8831d1a23 Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.81 грн
10+95.48 грн
100+64.79 грн
500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS09305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8831d1a23 IRF6620TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8831d1a23 Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.