Продукція > INFINEON > IRF6623TRPBF
IRF6623TRPBF

IRF6623TRPBF INFINEON

irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.08 грн
500+80.94 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6623TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET ST, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

Інші пропозиції IRF6623TRPBF за ціною від 63.65 грн до 233.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6623_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.84 грн
10+132.12 грн
100+84.58 грн
500+71.19 грн
1000+67.31 грн
2500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Infineon Technologies irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.40 грн
10+139.73 грн
100+96.53 грн
500+73.27 грн
1000+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF INFINEON irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.53 грн
10+143.90 грн
100+106.08 грн
500+80.94 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF Infineon_IRF6623_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF6623TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+222.84 грн
10+132.12 грн
100+84.58 грн
500+71.19 грн
1000+67.31 грн
2500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d
IRF6623TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.40 грн
10+139.73 грн
100+96.53 грн
500+73.27 грн
1000+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBF irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d
IRF6623TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+233.53 грн
10+143.90 грн
100+106.08 грн
500+80.94 грн
1000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.