IRF6623TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 111.04 грн |
| 500+ | 85.52 грн |
| 1000+ | 75.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6623TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET ST, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6623TRPBF за ціною від 62.77 грн до 247.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6623TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V |
на замовлення 3702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6623TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6623TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6623TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6623TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6623TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF6623TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 42W |
товару немає в наявності |