Технічний опис IRF6635TR1PBF IOR
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6635TR1PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF6635TR1PBF | Виробник : IR |
 0812+ DirectFET-MN? |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF6635TR1PBF Код товару: 81465
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||
 |
IRF6635TR1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF6635TR1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |