на замовлення 4375 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.68 грн |
| 10+ | 169.21 грн |
| 100+ | 118.44 грн |
| 500+ | 97.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6636TRPBF Infineon / IR
Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric ST, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRF6636TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
|
| IRF6636TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF6636TRPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF6636TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |