
IRF6643TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 64.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6643TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6643TRPBF за ціною від 53.85 грн до 177.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |