IRF6643TRPBF

IRF6643TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6643TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6643TRPBF за ціною від 53.85 грн до 177.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+91.07 грн
500+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 24214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+91.07 грн
500+87.20 грн
1000+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+91.07 грн
500+87.20 грн
1000+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+91.07 грн
500+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+113.52 грн
10+97.66 грн
100+78.91 грн
500+66.20 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+121.44 грн
117+104.47 грн
145+84.42 грн
500+70.82 грн
1000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.52 грн
250+94.08 грн
1000+65.22 грн
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6643pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec388f1a4b Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+122.54 грн
100+94.21 грн
500+71.72 грн
1000+61.42 грн
2000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6643_DataSheet_v01_01_EN-3363053.pdf MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.38 грн
10+129.44 грн
100+79.45 грн
250+78.72 грн
500+66.06 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.44 грн
50+134.52 грн
250+94.08 грн
1000+65.22 грн
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3640irf6643pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3640irf6643pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6643pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec388f1a4b IRF6643TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6643pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec388f1a4b Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6643-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.