IRF6643TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6643TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6643TRPBF за ціною від 58.88 грн до 180.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 24214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 9833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 3437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC |
на замовлення 7689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF6643TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 24214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.27 грн |
| 500+ | 101.75 грн |
| 1000+ | 96.11 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.27 грн |
| 500+ | 101.75 грн |
| 1000+ | 96.11 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.27 грн |
| 500+ | 101.75 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.27 грн |
| 500+ | 101.75 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 112.08 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 141.72 грн |
| 117+ | 121.92 грн |
| 145+ | 98.52 грн |
| 500+ | 82.64 грн |
| 1000+ | 67.22 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.66 грн |
| 10+ | 122.73 грн |
| 100+ | 99.17 грн |
| 500+ | 83.19 грн |
| 1000+ | 67.67 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.49 грн |
| 10+ | 112.82 грн |
| 100+ | 77.74 грн |
| 500+ | 58.88 грн |
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6643TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)