Продукція > INFINEON > IRF6644TRPBF
IRF6644TRPBF

IRF6644TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+156.24 грн
250+107.72 грн
1000+80.94 грн
2000+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6644TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF6644TRPBF за ціною від 63.01 грн до 243.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Infineon Technologies irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.09 грн
10+133.55 грн
100+92.23 грн
500+69.98 грн
1000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6644_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.55 грн
10+138.60 грн
100+83.17 грн
500+69.71 грн
1000+67.31 грн
4800+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF INFINEON irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+243.40 грн
50+156.24 грн
250+107.72 грн
1000+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f
IRF6644TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.09 грн
10+133.55 грн
100+92.23 грн
500+69.98 грн
1000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF Infineon_IRF6644_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IRF6644TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+219.55 грн
10+138.60 грн
100+83.17 грн
500+69.71 грн
1000+67.31 грн
4800+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f
IRF6644TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+243.40 грн
50+156.24 грн
250+107.72 грн
1000+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.