Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6644TRPBF

IRF6644TRPBF Infineon Technologies

Name: IRF6644TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1189788-3
Price: 317184 UAH
Availability: InStock

irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	66.08 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF6644TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6644TRPBF за ціною від 56.59 грн до 255.54 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	67.60 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	72.80 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	73.20 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 3916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	78.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 28800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	78.00 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	78.30 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
154+	79.16 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 26832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
320+	95.34 грн
500+	91.29 грн
1000+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 320

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 8389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
320+	95.34 грн
500+	91.29 грн
1000+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 320

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
320+	95.34 грн
500+	91.29 грн
1000+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 320

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 33600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	98.35 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 9580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
101+	120.90 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	129.36 грн
10+	105.29 грн
25+	104.62 грн
50+	100.22 грн
100+	76.33 грн
250+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 1610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
88+	138.39 грн
109+	111.92 грн
110+	107.21 грн
134+	81.65 грн
250+	60.54 грн

Мінімальне замовлення: 88

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	140.78 грн
250+	99.62 грн
1000+	73.70 грн
2000+	66.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
70+	175.94 грн
76+	161.38 грн
100+	135.83 грн
500+	111.71 грн
1000+	85.79 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

на замовлення 14627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	188.15 грн
10+	124.46 грн
100+	90.85 грн
500+	68.93 грн
1000+	63.69 грн
2000+	59.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	191.00 грн
10+	134.60 грн
100+	97.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF6644_DataSheet_v01_02_EN-3362800.pdf

MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	197.79 грн
10+	140.10 грн
100+	90.27 грн
500+	74.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : INFINEON

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	199.24 грн
50+	140.78 грн
250+	99.62 грн
1000+	73.70 грн
2000+	66.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
60+	205.69 грн
84+	144.96 грн
117+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
48+	255.54 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6644TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.