Технічний опис IRF6644TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Інші пропозиції IRF6644TRPBF за ціною від 73.01 грн до 256.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 9560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 26832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 8389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 4588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
на замовлення 5279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg |
на замовлення 8499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 151875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 6604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 18357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 258452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF6644TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 171243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 87.76 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 118.46 грн |
| 10+ | 104.68 грн |
| 25+ | 103.69 грн |
| 50+ | 93.84 грн |
| 100+ | 82.90 грн |
| 250+ | 73.01 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 118.89 грн |
| 135+ | 105.06 грн |
| 137+ | 104.06 грн |
| 146+ | 94.19 грн |
| 153+ | 83.19 грн |
| 250+ | 73.28 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 125.68 грн |
| 128+ | 111.51 грн |
| 130+ | 109.62 грн |
| 500+ | 104.80 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 144.07 грн |
| 10+ | 119.20 грн |
| 25+ | 112.68 грн |
| 100+ | 88.29 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 144.07 грн |
| 119+ | 119.20 грн |
| 126+ | 112.68 грн |
| 155+ | 88.29 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 26832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| 10000+ | 103.68 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.29 грн |
| 10+ | 161.32 грн |
| 100+ | 112.55 грн |
| 500+ | 86.07 грн |
| 1000+ | 85.84 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 151875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| 10000+ | 103.68 грн |
| 100000+ | 80.43 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 18357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| 10000+ | 103.68 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 258452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| 10000+ | 103.68 грн |
| 100000+ | 80.43 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 171243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 145.29 грн |
| 500+ | 131.12 грн |
| 1000+ | 120.49 грн |
| 10000+ | 103.68 грн |
| 100000+ | 80.43 грн |






