IRF6644TRPBF

IRF6644TRPBF Infineon Technologies


irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6644TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6644TRPBF за ціною від 57.14 грн до 258.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+96.27 грн
500+92.17 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+96.27 грн
500+92.17 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 26832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+96.27 грн
500+92.17 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+99.30 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 9580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+122.07 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+130.61 грн
10+106.31 грн
25+105.63 грн
50+101.19 грн
100+77.07 грн
250+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+139.73 грн
109+113.00 грн
110+108.25 грн
134+82.44 грн
250+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.78 грн
250+101.74 грн
1000+75.26 грн
2000+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6644_DataSheet_v01_02_EN-3362800.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.64 грн
10+124.12 грн
100+83.20 грн
250+82.45 грн
500+72.85 грн
1000+70.83 грн
4800+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+177.64 грн
76+162.94 грн
100+137.14 грн
500+112.79 грн
1000+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.24 грн
10+121.17 грн
100+90.32 грн
500+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+192.85 грн
10+135.90 грн
100+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.47 грн
50+143.78 грн
250+101.74 грн
1000+75.26 грн
2000+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+207.68 грн
84+146.36 грн
117+105.47 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+258.01 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6D3B6A2145F1A303005056AB0C4F&compId=irf6644pbf.pdf?ci_sign=9a8b55e72d72f093e7b297faca648d6d18f6ad2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6D3B6A2145F1A303005056AB0C4F&compId=irf6644pbf.pdf?ci_sign=9a8b55e72d72f093e7b297faca648d6d18f6ad2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.