Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
318+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6645TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6645TRPBF за ціною від 28.75 грн до 109.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.33 грн
25+40.98 грн
100+35.97 грн
250+33.15 грн
500+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+55.25 грн
224+52.88 грн
1000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.53 грн
500+40.66 грн
1000+33.89 грн
5000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 33521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+68.31 грн
500+61.47 грн
1000+56.69 грн
10000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+68.31 грн
500+61.47 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+68.31 грн
500+61.47 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+68.31 грн
500+61.47 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN-3363111.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 9459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+67.85 грн
25+55.45 грн
100+46.97 грн
250+41.30 грн
500+35.78 грн
1000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.49 грн
12+71.36 грн
100+57.53 грн
500+40.66 грн
1000+33.89 грн
5000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 19414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.64 грн
10+76.35 грн
100+57.75 грн
500+42.95 грн
1000+39.33 грн
2000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6D4F04E802F1A303005056AB0C4F&compId=irf6645pbf.pdf?ci_sign=b9722bf4f481f3c294902eb315726445e6f9e24d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6D4F04E802F1A303005056AB0C4F&compId=irf6645pbf.pdf?ci_sign=b9722bf4f481f3c294902eb315726445e6f9e24d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.