IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6645TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції IRF6645TRPBF за ціною від 46.87 грн до 151.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+50.75 грн
9600+ 47.26 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+53.65 грн
9600+ 51.89 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+66.92 грн
9600+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+74.97 грн
10+ 69.56 грн
25+ 69.28 грн
100+ 60.15 грн
250+ 53.57 грн
500+ 48.75 грн
1000+ 48.12 грн
3000+ 47.5 грн
6000+ 46.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+80.13 грн
250+ 67.63 грн
1000+ 53.83 грн
2000+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+80.74 грн
157+ 74.61 грн
175+ 64.78 грн
250+ 57.69 грн
500+ 52.49 грн
1000+ 51.82 грн
3000+ 51.15 грн
6000+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.1 грн
50+ 80.13 грн
250+ 67.63 грн
1000+ 53.83 грн
2000+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 21762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.99 грн
10+ 93.54 грн
100+ 74.45 грн
500+ 59.12 грн
1000+ 50.17 грн
2000+ 47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN-3363111.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.96 грн
10+ 103.65 грн
100+ 71.43 грн
250+ 66.43 грн
500+ 60.29 грн
1000+ 51.67 грн
2500+ 49.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+151.18 грн
84+ 140.23 грн
100+ 120.35 грн
200+ 110.3 грн
500+ 94.13 грн
1000+ 76.39 грн
2000+ 74.17 грн
4800+ 71.1 грн
Мінімальне замовлення: 78
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
товар відсутній
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній