Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF Infineon Technologies

irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6645TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції IRF6645TRPBF за ціною від 46.94 грн до 169.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 28721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
10000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.68 грн
10+86.40 грн
25+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
10+101.86 грн
100+69.25 грн
500+51.91 грн
1000+47.70 грн
2000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.74 грн
10+110.89 грн
100+80.12 грн
500+62.20 грн
1000+51.84 грн
2500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.74 грн
128+110.89 грн
177+80.12 грн
500+62.20 грн
1000+51.84 грн
2500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineonirf6645datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 28721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
10000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
449+78.79 грн
500+70.92 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.68 грн
10+86.40 грн
25+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.06 грн
10+101.86 грн
100+69.25 грн
500+51.91 грн
1000+47.70 грн
2000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.74 грн
10+110.89 грн
100+80.12 грн
500+62.20 грн
1000+51.84 грн
2500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+169.74 грн
128+110.89 грн
177+80.12 грн
500+62.20 грн
1000+51.84 грн
2500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6645TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF infineonirf6645datasheetv0101en.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6645TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.