IRF6645TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 35.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6645TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6645TRPBF за ціною від 29.92 грн до 86.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF6645TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SJ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 33521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 3379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 6412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
на замовлення 4078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
на замовлення 22469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SJ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF6645TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
товару немає в наявності |